最新公告顯示,華潤微電子(重慶)公司研發出一種新型GaN基HEMT器件及其制造工藝,已于2024年4月5日申請專利并得到公開查詢(CN117832254A)。
此項發明主要涉及在襯底上構建外延疊層,并在此基礎上制備柵極、漏極和源極;同時,在器件有源區周圍形成屏蔽環層,并利用第一和第二金屬互連層將襯底與源極連接起來。此外,還會在第二金屬互連層上覆蓋鈍化保護層,并以此作為源極與襯底共用焊盤、漏極焊盤以及柵極焊盤的基礎。
相較于傳統技術,本發明的優勢在于,它能在芯片內部建立互連結構,從而實現襯底與器件源極的直接連接,無需額外設立襯底焊盤進行接地,這大大提高了源極焊盤和漏極焊盤在芯片面積中的比例,從而增強了電流導通能力,降低了寄生參數,使電流分布更加均勻,有助于改善器件的散熱效果,進而提高其穩定性。
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