三星于4月15日周一宣布向美國得克薩斯州砸入400億美元打造先進芯片封裝工廠，為美國在本土量產(chǎn)頂尖人工智能芯片創(chuàng)造條件。這項舉措被視作美國拜登政府取得的顯著成果，同時也引起了中美兩國政府對先進封裝在半導(dǎo)體供應(yīng)鏈重要性的高度關(guān)注。

如今，各大全球領(lǐng)先的芯片制造商紛紛斥巨資擴大和升級先進封裝技術(shù)，以提升半導(dǎo)體性能。那么，究竟什么是先進芯片封裝呢？

隨著芯片逐漸逼近物理極限，制造商們亟需尋找新途徑提升性能，以應(yīng)對諸如生成式人工智能等對計算能力要求極高的應(yīng)用。此時，通過將眾多芯片（不論同質(zhì)與否）緊密歸類或“封裝”在一起的方式，不僅能實現(xiàn)速度及效率的提高，還可避免受到小型化的制約。

以下列舉兩種先進封裝實例： 高帶寬存儲（HBM）和基板上晶圓芯片（CoWoS）。

首先來看HBM。作為英偉達圖形處理器（GPU）等高性能芯片所需的大量內(nèi)存，即使是最先進的存儲芯片自身也無法提供足夠的“帶寬”來存儲和傳輸數(shù)據(jù)。因此，高帶寬存儲芯片通過堆疊DRAM存儲芯片并以細線連接，形成如同多層圖書館的結(jié)構(gòu)，借助電梯在樓層間快速運送大量書籍，實現(xiàn)數(shù)據(jù)的收集和傳遞。

再看CoWoS。以英偉達的H100“Hopper”AI芯片為例，該芯片將六顆HBM芯片與英偉達自行設(shè)計、臺積電代工的GPU集成在一起，采用的正是臺積電的CoWoS先進封裝技術(shù)。GPU和HBM芯片均置于名為“中介層”的硅接口之上，通過該接口進行信息交互。中介層則固定在基層或“基板”上。臺積電的競爭對手三星和英特爾對此項技術(shù)亦有各自的命名。

由于HBM中的DRAM層堆疊，使得HBM芯片和GPU并排排列，故此技術(shù)有時被稱作“2.5D”先進封裝。三星在德克薩斯州的新廠將具備2.5D和HBM封裝能力，而韓國芯片制造商SK海力士則在印第安納州興建HBM工廠。至于“3D封裝”，則涉及HBM和GPU組件的垂直整合，然而目前工程師仍未找到有效的散熱和供電解決方案。

此外，還有集成扇出型封裝（INFO）。在芯片受限于嚴格物理限制的環(huán)境下，先進封裝同樣發(fā)揮著重要作用。以智能手機為例，由于邏輯芯片無法進一步縮小，智能手機也無法增大體積。為此，2017年，臺積電聯(lián)手蘋果公司推出了集成扇出（Integrated Fan-Out）新型先進封裝技術(shù)，通過新的高密度“重新分布層”將邏輯和存儲芯片更加緊密地結(jié)合在一起，從而提升性能，同時無需依賴更厚的基礎(chǔ)層。

對于整個行業(yè)而言，先進封裝需要業(yè)界專家加強協(xié)作。例如，盡管臺積電缺乏存儲芯片生產(chǎn)經(jīng)驗，但與HBM市場領(lǐng)軍企業(yè)SK海力士在英偉達的AI芯片項目上展開了緊密合作；另一方面，三星電子和英特爾在邏輯、存儲以及先進封裝領(lǐng)域皆有所涉獵，這意味著它們有望為客戶提供橫跨三大領(lǐng)域的集成服務(wù)。

先進封裝重要性的增長也為二線芯片制造商和傳統(tǒng)封裝公司提供了機會，它們都在投資自己的先進封裝能力，以在5000億美元的半導(dǎo)體市場中獲得更大的份額。