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芯聞速遞 | 英飛凌全新CoolSiC? MOSFET 750 V G1產品系列;Ekkono簡化AURIX?系列嵌入式AI過程

江師大電信小希 ? 來源:江師大電信小希 ? 作者:江師大電信小希 ? 2024-04-19 14:45 ? 次閱讀

英飛凌科技近日推出750V G1分立式CoolSiC? MOSFET,以滿足工業和汽車功率應用對更高能效和功率密度日益增長的需求。該產品系列包含工業級和車規級SiC? MOSFET,針對圖騰柱 PFC、T型、LLC/CLLC、雙有源橋(DAB)、HERIC、降壓/升壓和移相全橋(PSFB)拓撲結構進行了優化。這些MOSFET適用于典型的工業應用(包括電動汽車充電、工業驅動器、太陽能和儲能系統、固態斷路器、UPS系統、服務器/數據中心、電信等)和汽車領域(包括車載充電器(OBC)、直流-直流轉換器等)。

CoolSiC? MOSFET 750V QDPAK

CoolSiC? MOSFET 750 V G1技術的特點是出色的RDS(on) x Qfr和卓越的RDS(on) x Qoss優值(FOM),在硬開關和軟開關拓撲結構中均具有超高的效率。其獨特的高閾值電壓(VGS(th),典型值為4.3 V)與低QGD/QGS比率組合具有對寄生導通的高度穩健性并且實現了單極柵極驅動,不僅提高了功率密度,還降低了系統成本。所有半導體器件均采用英飛凌的自主芯片連接技術,在同等裸片尺寸的情況下賦予芯片出色的熱阻。高度可靠的柵極氧化層設計加上英飛凌的認證標準保證了長期穩定的性能。

全新CoolSiC? MOSFET 750 V G1產品系列在25°C時的RDS(on)為8至140 mΩ,可滿足廣泛的需求。其在設計上具有較低的傳導和開關損耗,大幅提升了整體系統效率。創新的封裝更大程度地減少了熱阻、幫助改善散熱并優化電路內功率環路電感,在實現高功率密度的同時降低了系統成本。值得一提的是,該產品系列采用了先進的QDPAK頂部冷卻封裝。

供貨情況

適用于汽車應用的CoolSiC? MOSFET 750 V G1采用 QDPAK TSC、D2PAK-7L 和 TO-247-4 封裝;適用于工業應用的CoolSiC? MOSFET 750 V G1采用QDPAK TSC和TO-247-4封裝。

Ekkono邊緣機器學習簡化了在英飛凌AURIX? TC3x和TC4x上為汽車應用部署AI的過程

不同汽車的獨特性給汽車零部件供應商和OEM廠商等帶來了挑戰,因為每輛車的駕駛方式、駕駛地點、駕駛者、設計、用途以及道路和交通狀況都是獨一無二的。為保證每輛汽車都能正常運行并達到出色運行狀態,需要掌握并管理汽車及其狀況。英飛凌科技AURIX? 微控制器MCU)系列所提供的先進實時計算硬件適用于安全關鍵型汽車應用中的嵌入式AI等用例。為了充分利用這些強大的功能,英飛凌生態系統合作伙伴Ekkono Solutions推出了一款簡單易用且快速有效的軟件開發套件(SDK)為基于AURIX? TC3x和TC4x的嵌入式系統創建AI算法

英飛凌AURIX? TC4x

Ekkono首席技術官兼聯合創始人 Rikard K?nig 表示:“我們從2019 年開始成為英飛凌生態系統合作伙伴。現在,我們擁有了一個能夠滿足汽車行業需求的成熟解決方案。英飛凌是汽車高性能MCU領域的領導者之一,我們非常榮幸能與英飛凌在這個市場攜手并進。”

英飛凌科技汽車微控制器高級副總裁Thomas Boehm表示:人工智能正在興起。這項技術無疑將在未來的交通解決方案中發揮重要作用。英飛凌最新的AURIX?微控制器為客戶項目提供各種AI功能。因此,我們十分高興能和Ekkono攜手進一步簡化基于AI的汽車應用的開發工作。我們相信這些應用不僅能帶來便利,還能加強道路安全保障。”

Ekkono Solutions AB可在邊緣(即車輛啟動時和運行期間)執行單獨的增量學習。這使虛擬傳感器能夠增強或取代用于氣候控制、電池管理和排放的物理傳感器;使健康指示器能夠檢測變速器、齒輪箱和制動系統的偏差,實現視情維護;以及通過模擬確定每輛汽車最佳傳動系統的設置。這讓每個部件和每輛汽車都變得更佳、更可靠、更節能。

為滿足汽車市場的需求,Ekkono 已根據英飛凌的 AURIX?內核和加速器調整其 SDK。開發者無需在硬件層面做出任何進一步調整,即可使用 AURIX? TC3x 和 TC4x 的先進功能訓練和生成AI算法,尤其適用于安全關鍵型汽車應用。這種嵌入式人工智能使汽車能夠感知情境,“理解”其所處環境以及駕駛員的需求,這是實現自動駕駛等未來應用的關鍵條件。

審核編輯 黃宇

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