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SK海力士與臺積電達成研發合作,推動HBM4和下一代封裝技術發展?

微云疏影 ? 來源:綜合整理 ? 作者:綜合整理 ? 2024-04-19 15:45 ? 次閱讀

4 月 19 日,韓國 SK 海力士發布聲明,已與中國臺灣地區的臺積電簽署諒解備忘錄(MOU),共同推進高帶寬內存(HBM)技術的下一代研發及封裝應用。預計于 2026 年實現 HBM4 的量產。

據協議內容,雙方首先致力于提升 HBM 封裝中的基礎裸片(Base Die)性能。HBM 由多個 DRAM 裸片(Core Die)堆疊在基礎裸片之上,再經由 TSV 技術進行垂直互連,基礎裸片同時連接到 GPU,其重要性不言而喻。

自 HBM3E(第五代 HBM 產品)起,SK 海力士的 HBM 產品基礎裸片均采用自家工藝生產;然而,從 HMB4(第六代 HBM 產品)開始,該公司將轉用臺積電的先進邏輯(Logic)工藝。

據悉,雙方將密切合作,探索利用臺積電的 CoWoS 技術封裝 SK 海力士的 HBM 產品,以期在性能和效率等方面更好地滿足客戶對定制化(Customized)HBM 產品的需求。

今年 2 月,SK 海力士提出“One Team”戰略,計劃借助臺積電構建 AI 半導體聯盟,進一步強化其在 HBM 領域的領先地位。

展望未來,AI 半導體將從 HBM 時代的 2.5D 封裝邁向 3D 堆疊邏輯芯片和存儲芯片的新型高級封裝。存儲企業與芯片代工+高級封裝企業的深度合作有助于推動相關研發進程。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
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