在本文中，我們將討論CB晶體管的特性曲線，如 CB晶體管的靜態(tài)輸入和靜態(tài)輸出特性曲線（共基）。

共基極配置下晶體管的特性曲線

圖1顯示了以共基（CB）配置連接的PNP晶體管。基極是輸入側(cè)和輸出側(cè)共用的端子，該端子已接地。然后我們剩下兩個(gè)電壓變量，即 VEB公司和 V CB公司 .進(jìn)一步，當(dāng)前的 IB被忽略，因?yàn)樗徊贿^(guò)是 -（I E + 我 C ).然后我們剩下兩個(gè)當(dāng)前變量，即 V EB公司 、VCB公司我E和我C可以選擇任意兩個(gè)作為自變量，另外兩個(gè)作為因變量。在任何晶體管中，我們選擇輸入電流和輸出電壓作為自變量，選擇輸出電流和輸入電壓作為因變量。然后，我C和 VEB公司可以用 V 表示CB公司和我E根據(jù)以下等式：

...........(1)

..........(2)

因此，對(duì)于CB晶體管，我們可以得到以下兩個(gè)靜態(tài)特性曲線系列，繪制方程（1）和（2）。

• 靜態(tài)輸出特性曲線繪制公式（1）。因此，我們繪制 IC針對(duì) VCB公司與我E作為參數(shù)，即不同 I 值的繪圖曲線 E .
• 靜態(tài)輸入特性曲線繪制方程（2）。因此，我們繪制 VEB公司反對(duì)我E帶 VCB公司作為參數(shù)，即繪制一組 V 值的 f 曲線 CB公司 .

電路設(shè)置 |CB晶體管的輸入輸出特性曲線

圖2給出了用于確定PNP晶體管靜態(tài)特性曲線的基本電路設(shè)置。當(dāng)前 IE可由電位計(jì) R 改變 1 .但是，V是低電壓通常小于 1 伏。因此，我們包括一個(gè)串聯(lián)電阻器R S （約 1 k-ohm）在發(fā)射極電路中保持 IE低。

電壓 VCB公司可由電位計(jì) R 改變 2 .如圖 2 所示連接毫米表和電壓表，讀取 I=E , 我 C 、VEB公司和 V CB公司 .

PNP CB晶體管的靜態(tài)輸出特性 |CB晶體管的輸入輸出特性曲線

圖3顯示了CB配置中典型PNP Ge生長(zhǎng)結(jié)型晶體管的靜態(tài)輸出特性曲線。實(shí)驗(yàn)程序包括設(shè)置電路，如圖2所示，固定IE最初為零，增加 V 的大小CB公司以 1 伏的步長(zhǎng)從零開(kāi)始，注意相應(yīng)的 IC和繪圖我C針對(duì) V CB公司 .對(duì)于較高的 I 值，重復(fù)該過(guò)程E比如 10 mA、20 mA 等。因此，我們得到圖 3 所示的曲線。事實(shí)上，這些曲線只不過(guò)是方程（2）的圖。

活動(dòng)區(qū)域 |CB晶體管的輸入輸出特性曲線：

用于活動(dòng)區(qū)域操作。JE是前向偏置的，而 JC是反向偏置的。考慮使用 I 的操作 E = 0。然后，晶體管表現(xiàn)為反向偏置二極管，由Ge晶體管中的微安級(jí)和Si晶體管中的納安級(jí)組成。我一氧化碳集電極電壓 V 的所有值都保持不變CB公司低于擊穿潛力。在pnp晶體管中，I一氧化碳從基底流向集電極，因此被認(rèn)為是負(fù)的，因?yàn)榧僭O(shè) I 的正方向一氧化碳被認(rèn)為與I相同C即進(jìn)入設(shè)備。在npn晶體管中，I一氧化碳從收集器流向基座，因此被認(rèn)為是正的。

接下來(lái)讓一個(gè)小發(fā)射極電流I E （比如 10 mA）發(fā)射極電路中的流量。然后是分?jǐn)?shù) IE的電流到達(dá)集電極并貢獻(xiàn) IE到總集電極電流 IC如等式所示。在有源區(qū)域中，兩個(gè)組件 I一氧化碳和 ， 集電極電流 IC幾乎等于 .

I 的輸出特性 E = 20 mA、30 mA 等與 I 的特性相似 E = 0，但向上移動(dòng)了 。但是，由于早期效應(yīng)，輸出特性具有較小的上升斜率。輸出特性的這種輕微向上斜率導(dǎo)致輸出電導(dǎo)有限，而不是零輸出電導(dǎo)，即輸出電阻非常大，而不是有限輸出電阻。

飽和區(qū)域 |CB晶體管的輸入輸出特性曲線

在飽和區(qū)域，JE和 JC是前向偏向的。因此，在 pnp 晶體管中，飽和區(qū)域位于縱坐標(biāo) V 的左側(cè) CB公司 = 0 及以上 I 的特征 E = 0。在該區(qū)域中，電壓已下降到特征的底部附近，具有 V CB公司 = 0，因此據(jù)說(shuō)會(huì)觸底。在 PNP 晶體管中，VCB公司實(shí)際上略微在這個(gè)區(qū)域，即 JC是前向偏向的。因此，集電極電流 IC隨著 V 呈指數(shù)增長(zhǎng)CB公司根據(jù)基本的二極管關(guān)系。使用 JC正向偏置的空穴電流從p型集電極區(qū)域流過(guò)JC到 N 型基區(qū)。因此，凈空穴電流幅度迅速下降，如圖 4 所示。如果正向偏置為 JC進(jìn)一步增加，我C甚至可能變成陽(yáng)性。

截止地區(qū) |CB晶體管的輸入輸出特性曲線

輸出特性幾乎是并行的。但只有我的特征 E = 0 通過(guò)原點(diǎn)。I 的輸出特性 E = 0 與電壓軸不重合。而是我C等于 I 一氧化碳 ，少數(shù)用于Ge（Si）晶體管。由于我一氧化碳非常小，特性似乎與電壓軸重合。特征 I 的下方和右側(cè)區(qū)域 E = 0 稱為截止區(qū)域，在該區(qū)域中 JE和 JC是反向偏置的。

CB晶體管的靜態(tài)輸入特性 |CB晶體管的輸入輸出特性曲線

圖4給出了典型CB pnp Ge晶體管的靜態(tài)輸入特性。實(shí)驗(yàn)程序包括設(shè)置電路，如圖2所示，固定V CB公司 = 0，增加 I 的大小E從 5mA 的步長(zhǎng)開(kāi)始，沒(méi)有相應(yīng)的 VEB公司和電鍍 VEB公司反對(duì)我 E .對(duì)于 V 的其他值重復(fù)該過(guò)程CB公司比如說(shuō) -10 伏、-20 伏等，并且集電極結(jié)也打開(kāi)。因此，我們得到圖 4 所示的曲線。事實(shí)上，這些曲線只不過(guò)是等式 2 的圖。

這些輸入特性只是 J 的前向特性E對(duì)于各種 V 值 CB公司 .因此，使用 VCB公司開(kāi)路，輸入特性只不過(guò)是 J 的前向特性E充當(dāng)PN二極管。帶 V CB公司 = 0，即當(dāng)集電極短路到基極時(shí)，集電極從基極掃除少數(shù)載波孔，因此，從發(fā)射極吸引更多孔。因此，V 的特征 CB公司 = 0 相對(duì)于 V 向下移動(dòng)CB公司打開(kāi)。切入電壓 VV對(duì)于 V 的 Ge （Si） 晶體管，約為 0.1 伏（0.5 伏） CB公司 = 0。

對(duì)于給定的 V 值 EB公司 ，任何增加 |V CB公司 |，根據(jù)早期效應(yīng)，導(dǎo)致有效堿基寬度減小，堿區(qū)少數(shù)載流子濃度梯度增加，從而增加 I E .因此，隨著 |V CB公司 |，輸入特性曲線向下移動(dòng)，如圖4所示。

可以看出，V略有增加EB公司導(dǎo)致 I 大幅增加 E .因此，CB晶體管的動(dòng)態(tài)輸入電阻相當(dāng)?shù)汀np 和 npn 晶體管都是如此。