臺積電2023年報預告：2026年N2制程量產，首推背面供電版
4月25日，據臺積電發布的2023年度報告揭示，公司將于2025年下半年推出背面供電版N2制程節點，并于2026年開始大規模生產。
該公司透露，N2制程將運用先進的GAA納米片技術，在性能和能效上都將達到全新高度，預計于2025年啟動批量生產。
此外，N2的衍生版本——引入背面電源軌道方案的“最佳高性能計算應用”，將緊隨標準版N2之后投入市場。
傳統芯片制造方式是自下而上，先制作晶體管，然后構建互聯和供電線路層。然而，隨著制程工藝的不斷縮小，傳統供電模式的線路層變得愈發復雜，給設計和制造帶來困擾。
背面供電將芯片供電網絡移至晶圓背面，從而簡化了供電路徑，解決了互聯瓶頸，減少了供電對信號的干擾，進而降低了整個平臺的電壓和功耗。
臺積電的主要競爭對手英特爾和三星也都在積極推進背面供電技術的研發。據悉，英特爾計劃在今年上半年的Intel 20A節點引入背面供電，而三星則有望在2025年的SF2節點實現這一技術。
因此，可以預見，2nm制程將成為背面供電技術商業化應用的重要里程碑。
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