近日，華光光電808nm高功率半導體激光芯片研究取得重大技術(shù)突破。經(jīng)過公司研發(fā)團隊持續(xù)地科研攻關(guān)，華光光電成功研制出25W高功率高可靠性激光芯片，進一步鞏固了公司在半導體激光領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，并為國內(nèi)半導體激光芯片產(chǎn)業(yè)升級注入了新的活力。

808nm半導體激光器作為固體激光器的主要泵浦源，在智能制造、工業(yè)加工、醫(yī)療健康、科研與國家戰(zhàn)略高技術(shù)等領(lǐng)域發(fā)揮著重要作用。隨著市場需求的日益增長，高功率、高效率的激光芯片成為行業(yè)發(fā)展的重要支撐。華光光電緊扣市場脈搏，聚焦808nm激光芯片的技術(shù)迭代，通過外延材料設(shè)計與優(yōu)化、芯片結(jié)構(gòu)優(yōu)化等方式，成功提升了芯片的內(nèi)量子效率，降低了腔內(nèi)光學損耗，并顯著提高了腔面的光學災(zāi)變損傷閾值。

808nm-25W單芯片PIV及效率曲線

根據(jù)測試，采用華光光電808nm-25W高功率激光芯片封裝的COS，最大輸出功率超過43W，在CW25A下輸出功率26.5W，電光轉(zhuǎn)換效率58%。該芯片在室溫25A下可長期保持功率持續(xù)穩(wěn)定輸出，充分展現(xiàn)了其高可靠性。

808nm-25W單芯片壽命曲線

這一突破性成果的取得，不僅彰顯了華光光電在半導體激光技術(shù)領(lǐng)域的深厚積累和創(chuàng)新能力，也標志著我國在高功率半導體激光芯片研發(fā)方面取得了重要進展。這一技術(shù)的成功應(yīng)用，將有力推動國內(nèi)半導體激光芯片及下游產(chǎn)業(yè)的升級換代，提升我國在全球半導體激光市場的競爭力。

華光光電堅持走自主創(chuàng)新之路，是國內(nèi)少數(shù)掌握半導體激光器外延結(jié)構(gòu)設(shè)計與生長、芯片設(shè)計與制備的自主知識產(chǎn)權(quán)并成功應(yīng)用于商業(yè)化生產(chǎn)的企業(yè)之一，亦是國內(nèi)少數(shù)建立了半導體激光器外延片、芯片、器件、模組垂直一體化生產(chǎn)體系，自主生產(chǎn)半導體激光器外延片和芯片的企業(yè)之一。此次808nm高功率半導體激光芯片的突破，正是華光光電持續(xù)技術(shù)創(chuàng)新和研發(fā)投入的結(jié)晶。

隨著這一技術(shù)的推廣和應(yīng)用，華光光電的808nm激光器將在智能制造、工業(yè)加工、醫(yī)療健康、科研與國家戰(zhàn)略高技術(shù)等領(lǐng)域發(fā)揮更大的作用。同時，公司也將繼續(xù)加大研發(fā)力度，不斷推出更多具有創(chuàng)新性和領(lǐng)先性的產(chǎn)品，為推動我國激光產(chǎn)業(yè)集群的發(fā)展貢獻更多力量。

審核編輯：劉清