4月28日，全球半導體巨頭三星宣布了一個令人振奮的消息：其最新一代V-NAND 1Tb TLC產品已成功實現量產。相較于前代產品，這款新品在位密度上實現了顯著的飛躍，提升幅度高達約50%。這一重大突破，得益于三星創新技術的引入——通道孔蝕刻技術，該技術極大地提升了生產效率，為三星在全球半導體市場的競爭增添了新的動力。

在技術層面，第九代V-NAND無疑展現出了三星的卓越技術實力。它采用了雙重堆疊技術，在原有的旗艦V8閃存236層的基礎上，再次實現了技術上的重大突破，堆疊層數飆升至驚人的290層。這一創新設計使得該產品在大型企業服務器、人工智能以及云設備等高端市場領域，成為了備受歡迎的存儲解決方案。

然而，三星并未滿足于現有的成績。據業內消息透露，三星正計劃在未來不久推出第10代NAND芯片。這款芯片將采用更為先進的三重堆疊技術，堆疊層數有望突破至430層，再次刷新NAND芯片密度的記錄。這一系列的創新舉措，無疑將進一步鞏固三星在全球半導體市場的領先地位，并為其未來的發展奠定堅實的基礎。

市場研究公司Omdia的預測報告也為三星的未來發展注入了信心。盡管NAND閃存市場在2023年經歷了下滑，但預計今年將迎來強勁的反彈，增長率將達到38.1%。面對這一充滿機遇的市場環境，三星誓言將加大對NAND業務的投資力度，以搶占更多的市場份額。

三星的高管們信心滿滿。他們表示，公司的長遠目標是到2030年開發出超過1000層的NAND芯片。

審核編輯：黃飛