霍爾效應是電磁效應的一種,當電流垂直于外磁場通過半導體時,載流子發生偏轉,垂直于電流和磁場的方向會產生一附加電場,從而在半導體的兩端產生電勢差,這一現象就是霍爾效應。霍爾效應廣泛應用于材料表征和磁場感應。
材料表征
在材料表征應用中,材料放置在已知的磁場 B 之中。同時,測量霍爾電壓 VXY(圖1)、通過樣本的電壓 VXX 和通過材料的電流 IR。根據這些測量值,我們可以推斷材料性質,例如載流子密度、載流子極性、載流子遷移率和材料的導電性。
這項技術還可用于測量量子霍爾效應以及整數、分數、自旋、逆自旋等多種衍生效應,從而測量二維電子氣 (2DEG) 材料的新物理性質。
磁場感應
當材料性質已知時,霍爾效應可用于推斷多個數量級范圍內的外部磁場強度。可以通過向樣本施加直流電壓來執行測量,但是通常交流測量的速度更快、結果更準確。交流測量的其他優點還包括精度和靈敏度更高,能夠在更大的測量范圍內實現更高信噪比 (SNR)。
圖1.測量霍爾電壓結構圖
如圖1所示,測量需要使用兩個鎖相放大器。賽恩科儀OE1022D是一款雙通道鎖相放大器,擁有2個獨立同步的鎖放單元,一臺鎖相放大器就可以滿足測量需求。
(圖中表示為 LIA A通道)提供恒定交流電壓以使樣本中產生電流。通常情況下,只需放置一個遠大于電路中所有其他電阻之和的限流電阻 RL,即可假定電流在測量過程中保持恒定。測量通過樣本的電流,即可實現更精準的測量。鎖相放大器 1 測量霍爾電壓 VXY,而鎖相放大器 2(圖中表示為 LIA B通道)測量通過樣本的電壓 VXX。
審核編輯 黃宇
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