據天眼查數據,中芯國際集成電路制造(北京)有限公司近期獲得了一項新專利——“非易失性存儲裝置及其形成方法”,公告號為CN113659073B,授權日期為2024年4月30日,申請日期為2022年2月12日。
該專利涉及一種新型非易失性存儲裝置及其制作工藝。具體而言,其步驟如下:首先,制備包含器件區與非器件區的基底;接著,在基底上依次沉積第一電極材料層及絕緣材料層;然后,在絕緣材料層上形成犧牲層,該層覆蓋非器件區并露出器件區;最后,在器件區內的絕緣材料層上生長第二電極,同時去除犧牲層以及非器件區的絕緣材料層和第一電極材料層,僅保留剩余的絕緣材料層作為絕緣層,以及剩余的第一電極材料層作為第一電極層。此方法有助于提高器件性能。
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