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三星電子開始量產其首款3nm Gate All Around工藝的片上系統

芯通社 ? 來源:芯通社 ? 2024-05-08 15:24 ? 次閱讀
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據外媒報道,三星電子已開始量產其首款3nm Gate All Around(GAA)工藝的片上系統(SoC),預計該芯片預計將用于Galaxy S25系列。

據悉,這款高性能移動芯片包括CPUGPU和Synopsis的多個IP塊。

據報道,三星使用Synopsys.ai EDA軟件來提高芯片性能和產量。

此外,工程師還使用Synopsys Fusion Compiler(電子設計自動化工具)來實現更高的性能、更低的功耗并優化芯片面積。

三星和Synopsis聲稱,后者的設計自動化工具有助于將芯片的頻率提高300MHz,同時將功耗降低10%。

這些工具包括設計分區優化、多源時鐘樹綜合(MSCTS)、智能線優化和更簡單的分層方法。

三星以前生產的芯片在持續使用情況下,常常會出現耗電量大和性能下降的問題,如今三星推出的GAA技術,有望解決這類問題。




審核編輯:劉清

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原文標題:三星開始量產首款3nm Exynos芯片

文章出處:【微信號:semiwebs,微信公眾號:芯通社】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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