今日,SK海力士公司宣布了一項革命性的技術突破,他們成功研發(fā)出了面向端側(On-Device)AI應用的全新移動端NAND閃存解決方案——“ZUFS(Zoned UFS)4.0”。這款產(chǎn)品的推出,標志著SK海力士在閃存技術領域的又一次飛躍。
據(jù)SK海力士官方介紹,ZUFS 4.0是新一代移動端NAND閃存解決方案的杰出代表,它不僅實現(xiàn)了業(yè)界最高性能,更是專為端側AI手機進行了深度優(yōu)化。這意味著,無論是從數(shù)據(jù)處理速度、存儲容量還是使用壽命上,ZUFS 4.0都將為智能手機等移動設備帶來前所未有的體驗提升。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
閃存
+關注
關注
16文章
1836瀏覽量
115764 -
NAND
+關注
關注
16文章
1719瀏覽量
137872 -
SK海力士
+關注
關注
0文章
991瀏覽量
39368
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
SK海力士UFS 4.1來了,基于321層1Tb TLC 4D NAND閃存
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道,SK海力士宣布公司成功開發(fā)出搭載全球最高321層1Tb(太比特,Terabit)TLC(Triple Level Cell)4D NAND閃存的
SK海力士已完成收購英特爾NAND業(yè)務部門的第二(最終)階段交易
于 2020 年末對外公布,第一階段完成于 2021 年 12 月 30 日,SK 海力士當時支付了約合 66.1 億美元的 78422 億韓元,從英特爾接管 SSD 業(yè)務及其位于中國大連 N

三星與SK海力士實施NAND閃存“自然減產(chǎn)”
據(jù)外媒最新報道,為了應對NAND閃存市場的供應過剩問題,三星電子與SK海力士兩大半導體巨頭已悄然采取措施,通過工藝轉(zhuǎn)換實現(xiàn)“自然減產(chǎn)”。 據(jù)業(yè)內(nèi)消息透露,自去年年底以來,三星電子和
SK海力士計劃減產(chǎn)NAND Flash存儲器以應對市場下滑
產(chǎn)品價格。 繼美光和三星宣布減產(chǎn)計劃后,全球第二大NAND Flash廠商SK海力士也宣布了減產(chǎn)決定。據(jù)悉,SK海力士計劃將上半年
SK海力士展出全球首款16層HBM3E芯片
在近日舉行的SK AI峰會上,韓國存儲巨頭SK海力士向全球展示了其創(chuàng)新成果——全球首款48GB 16層HBM3E產(chǎn)品。這一產(chǎn)品的推出,標志著
SK海力士推出48GB 16層HBM3E產(chǎn)品
近日在一次科技展覽上,SK海力士驚艷亮相,展出了全球首款48GB 16層HBM3E(High Bandwidth Memory 3E)產(chǎn)品。這一突破性產(chǎn)品不僅展示了
SK海力士開發(fā)出第六代10納米級DDR5 DRAM
SK海力士宣布了一項重大技術突破,成功開發(fā)出全球首款采用第六代10納米級(1c)工藝的16Gb DDR5 DRAM。這一里程碑式的成就標志著
SK海力士率先展示UFS 4.1通用閃存
在最近的FMS 2024峰會上,SK 海力士憑借其創(chuàng)新實力,率先向業(yè)界展示了尚未正式發(fā)布規(guī)范的UFS 4.1通用閃存新品,再次引領存儲技術的前沿。此次展示不僅彰顯了SK
SK海力士GDDR7顯存性能飆升60%
全球領先的半導體制造商SK 海力士近日宣布了一項重大突破,正式推出了全球性能巔峰的新一代顯存產(chǎn)品——GDDR7。這款專為圖形處理優(yōu)化設計的顯
SK海力士加速NAND研發(fā),400+層閃存量產(chǎn)在即
韓國半導體巨頭SK海力士正加速推進NAND閃存技術的革新,據(jù)韓媒最新報道,該公司計劃于2025年末全面完成400+層堆疊NAND
SK海力士將在2025年底量產(chǎn)400+層堆疊NAND
近日,韓國權威媒體ETNews爆出猛料,SK海力士正在積極籌備加速下一代NAND閃存的研發(fā)進程,并且已經(jīng)設定了明確的發(fā)展時間表——計劃在20
SK海力士考慮讓Solidigm在美上市融資
據(jù)最新消息,SK海力士正醞釀一項重要財務戰(zhàn)略,考慮推動其NAND與SSD業(yè)務子公司Solidigm在美國進行首次公開募股(IPO)。Solidigm作為
SK海力士計劃推動Solidigm在美IPO
據(jù)韓國經(jīng)濟日報和科技媒體Blocks&Files的最新報道,全球半導體巨頭SK海力士正考慮將其NAND閃存與固態(tài)硬盤子公司Solidigm在美國進行首次公開募股(IPO)。這
SK海力士攜手臺積電,N5工藝打造高性能HBM4內(nèi)存
在半導體技術日新月異的今天,SK海力士再次引領行業(yè)潮流,宣布將采用臺積電先進的N5工藝版基礎裸片來構建其新一代HBM4內(nèi)存。這一舉措不僅標志著SK
SK海力士開發(fā)出用于端側AI PC的高性能固態(tài)硬盤PCB01
(SSD)——PCB01。這款產(chǎn)品的推出,不僅標志著SK海力士在NAND閃存解決方案領域的又
評論