據(jù)業(yè)界透露，三星電子近日決定加快新一代DRAM——1dnm內(nèi)存的技術(shù)研發(fā)進(jìn)程。目前DRAM領(lǐng)域最新的制造工藝為第五代10+nm系列的1bnm。

全球最大的三家DRAM制造商——三星電子、SK海力士以及美光，計(jì)劃在今年三季度到明年逐步實(shí)現(xiàn)1cnm的量產(chǎn)。然而，1dnm工藝則排在1cnm之后，預(yù)計(jì)量產(chǎn)時(shí)間要等到2026年以后。

通常情況下，三星電子在每一代DRAM工藝的PA（工藝架構(gòu)）階段才會組建包括半導(dǎo)體和工藝工程師在內(nèi)的綜合性團(tuán)隊(duì)。但此次在1dnm節(jié)點(diǎn)上，團(tuán)隊(duì)組建時(shí)間提前了1~2年，目前已有數(shù)百名相關(guān)人員參與其中。

與現(xiàn)有工藝相比，1dnm工藝將大幅增加EUV光刻的使用量，這無疑給研發(fā)帶來更大挑戰(zhàn)。三星電子此舉意在加速量產(chǎn)準(zhǔn)備工作，縮短工藝優(yōu)化周期。

近兩年來，三星電子在DRAM技術(shù)方面的領(lǐng)先地位受到了挑戰(zhàn)：在1anm節(jié)點(diǎn)上，美光搶先實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)；在1bnm節(jié)點(diǎn)上，三家公司的量產(chǎn)時(shí)間基本相同；而在即將到來的1cnm節(jié)點(diǎn)，SK海力士有望占據(jù)先機(jī)。此外，由于之前解散HBM內(nèi)存研發(fā)團(tuán)隊(duì)的決策失誤，三星電子在HBM3（E）內(nèi)存市場上也處于劣勢。

為了扭轉(zhuǎn)當(dāng)前的不利局面，三星電子計(jì)劃加大對1dnm DRAM研發(fā)的人力物力投入，以期重塑其在內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域的優(yōu)勢地位，同時(shí)借助DRAM技術(shù)升級推動HBM業(yè)務(wù)的發(fā)展。