Vishay公司近日重磅推出了一款革命性的功率MOSFET產品——SiHR080N60E,它采用了新型的PowerPAK? 8 x 8 LR封裝技術,標志著第四代600V E系列功率MOSFET的誕生。這一創新產品為通信、工業及計算領域帶來了前所未有的高效高功率密度解決方案。
SiHR080N60E以其小巧的PowerPAK 8 x 8 LR封裝設計脫穎而出,其僅10.42 mm x 8 mm x 1.65 mm的緊湊尺寸,相較于傳統的D2PAK封裝,占位面積大幅減少了50.8%,同時高度降低了驚人的66%。這種小巧且高效的設計,不僅節約了寶貴的空間資源,還顯著提升了系統的功率密度,為現代電子設備的發展注入了新的活力。
隨著通信、工業和計算應用對性能要求的不斷提高,高效、高功率密度的解決方案變得愈發重要。Vishay公司的這款新型功率MOSFET正是為了滿足這一市場需求而生,它將為各行各業帶來更高效、更可靠的電力控制解決方案。
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。
舉報投訴
-
Vishay
+關注
關注
20文章
879瀏覽量
116239 -
封裝技術
+關注
關注
12文章
548瀏覽量
67981 -
功率MOSFET
+關注
關注
0文章
349瀏覽量
21793
發布評論請先 登錄
相關推薦
意法半導體發布第四代STPower硅碳化物MOSFET技術
意法半導體(STMicroelectronics)近日推出了其第四代STPower硅碳化物(SiC)MOSFET技術,標志著在高效能和高功率密度領域的又一重大進展。新一
意法半導體第四代碳化硅功率技術問世
意法半導體(簡稱ST)推出第四代STPOWER碳化硅(SiC)MOSFET技術。第四代技術有望在能效、功率密度和穩健性三個方面成為新的市場標
意法半導體發布第四代SiC MOSFET技術
意法半導體(簡稱ST)近日宣布推出其第四代STPOWER碳化硅(SiC)MOSFET技術,標志著公司在高效能半導體領域又邁出了重要一步。此次推出的第
富士康,布局第四代半導體
能,為未來高功率電子元件開辟了新的可能性。 第四代半導體氧化鎵 (Ga2O3) 因其優異的性能,被視為下一代半導體材料的代表。它擁有超寬能隙 (4.8 eV)、超高臨界擊穿場強 (8 MV/cm) 等特性,較現有的硅 (Si)、
亞馬遜網絡服務即將推出第四代Graviton處理器
7月10日,雅虎財經獨家報道了亞馬遜網絡服務(AWS)即將推出的重大技術進展——其第四代Graviton處理器,即Graviton4芯片。這一重要信息由AWS的計算與人工智能產品管理總監拉胡爾·庫爾卡尼在德克薩斯州奧斯汀的亞馬遜芯片研發中心親自披露。
SiFive第四代Essential系列登場,引領嵌入式應用創新浪潮
在科技創新的浪潮中,SiFive Inc. 作為RISC-V技術的行業標桿,再次邁出了堅實的一步。2024年6月25日,在德國慕尼黑的RISC-V歐洲峰會上,SiFive正式發布了其備受期待的第四代Essential
capsense第四代和第五代在感應模式上的具體區別是什么?
據我所知,第五代capsense相比第四代將電容(包括自電容+互電容技術)和電感觸摸技術集成到了一起,snr信噪比是上一代的十多倍,同時功耗僅是上一代的十分之一。但是這張圖在感應模式
發表于 05-23 06:24
國民技術第四代可信計算芯片NS350投入量產
國民技術近日正式推出了其第四代可信計算芯片NS350 v32/v33系列,并已開始量產供貨。這款芯片是高性能、高安全性的TCM 2.0安全芯
威世科技發布創新PowerPAK 8 x 8LR封裝功率MOSFET
威世科技Vishay Intertechnology, Inc.近日宣布了一項重大技術突破,推出了首款采用新型PowerPAK? 8 x 8LR封裝的第四代600
新品發布!國民技術第四代可信計算芯片NS350正式投入量產
2024年4月18日,國民技術第四代可信計算芯片 NS350 v32/v33系列產品正式發布并開始量產供貨 。NS350 v32/
發表于 04-18 15:06
?1516次閱讀
評論