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臺積電未確定是否采購阿斯麥高數值孔徑極紫外光刻機

微云疏影 ? 來源:綜合整理 ? 作者:綜合整理 ? 2024-05-15 09:34 ? 次閱讀
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據臺積電高管透露,他們對于使用阿斯麥的下一代“High NA EUV(高數值孔徑極紫外光刻)”設備并非必需,該設備主要應用于研發中的A16芯片制造技術,預計將于2027年面世。

盡管High NA EUV光刻機有望使芯片設計尺寸縮減達三分之二,但芯片制造商需要權衡利弊,考慮其高昂的成本及ASML老款設備的可靠性問題。

臺積電的主管Kevin Zhang在阿姆斯特丹舉行的一場會議中提到,雖然公司的A16工廠有可能采用此項技術,但目前仍處于討論階段。當前,臺積電已是ASML常規EUV光刻機的最大用戶。

“這項技術值得肯定,但定價確實令人困擾,”Zhang指出,臺積電的A16生產線將延續2納米生產節點,這個項目預期于2025年開始量產。他同時表示,“待High NA EUV技術開始發揮作用之際,關鍵在于實現最佳的經濟效益和技術水平之間的平衡。”

現階段,預計每臺High NA設備的造價將高達3.5億歐元(約合3.78億美元),而ASML常規EUV設備的價格則為2億歐元。

英特爾在上個月宣布,他們已經成功組裝了ASML新型High NA EUV光刻工具,這被視為其超越競爭對手的重要步驟。

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