SiC MOSFET模塊是一種基于碳化硅(SiC)材料的功率半導(dǎo)體器件，它結(jié)合了MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的高效開(kāi)關(guān)特性和SiC材料的優(yōu)異性能。與傳統(tǒng)的硅基MOSFET相比，SiC MOSFET模塊具有更高的工作溫度、更低的導(dǎo)通電阻、更快的開(kāi)關(guān)速度和更好的熱導(dǎo)率，SiC MOSFET模塊的引入有助于提高系統(tǒng)效率，減小系統(tǒng)尺寸和重量，是現(xiàn)代電力電子技術(shù)的重要進(jìn)步。

SemiQ 的 SiC MOSFET 模塊的開(kāi)關(guān)損耗接近于零，大大提高了效率，減少了散熱，并且需要更小的散熱器。這些優(yōu)點(diǎn)使 SemiQ 的產(chǎn)品成為各種應(yīng)用的理想選擇，包括直流電源設(shè)備的電源、感應(yīng)加熱整流器、焊接設(shè)備、高溫環(huán)境、太陽(yáng)能逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、電源、充電站等。

SemiQ 1200V SiC MOSFET 模塊系列產(chǎn)品：

SiC MOSFET Modules引出線和電路圖:

SemiQ 1200V SiC MOSFET 模塊優(yōu)勢(shì)介紹：

封裝高度降低，電感降低

開(kāi)關(guān)損耗低

低結(jié)到外殼熱阻

非常堅(jiān)固且易于安裝

直接安裝到散熱器（獨(dú)立封裝）

特征：

高速開(kāi)關(guān)SiC MOSFET

可靠的體二極管

所有部件均測(cè)試到1350V以上

用于穩(wěn)定操作的開(kāi)爾文參考

隔離底板

應(yīng)用：

光伏和風(fēng)力逆變器

電動(dòng)汽車(chē)/電池充電器

儲(chǔ)能系統(tǒng)

高壓直流-直流轉(zhuǎn)換器

感應(yīng)加熱

SMPS和UPS