臺積電日前表態，其A16（1.6nm）制程技術有望于2026年下半年實現量產，且該工藝將搭載高效的背面供電（即“超級供電軌”）技術以提高芯片性能。

據臺灣業內人士透露，臺積電并未為A16制程配備高數值孔徑（High-NA）EUV光刻機，而選擇利用現有的EUV光刻機進行生產。相較之下，英特爾和三星則計劃在此階段使用最新的High-NA EUV光刻機。

至于背面供電技術，英特爾原定于20A（2nm）制程引入，后決定推遲至14A制程采用；三星亦研發出相似的BSPDN技術，據報道，三星代工部門首席技術官Jung Ki-tae曾表示，將于2027年將此技術應用于1.4nm制程。

值得注意的是，英特爾已收到ASML首臺High-NA EUV光刻機，并已完成組裝。盡管如此，業界普遍認為，臺積電此時推出A16制程，無疑會給英特爾和三星帶來競爭壓力。盡管英特爾在High-NA EUV設備方面領先，但能否跟上臺積電的商業化步伐仍需觀察。

此外，臺積電決定在A16制程中繼續使用常規EUV光刻機，充分展示了其強大的技術實力——無需最新設備即可將現有EUV設備的分辨率推向1.3nm以下。實際上，去年臺積電已通過調整光刻膠材料及光掩模制程等手段，成功提升先進制程的臨界尺寸和圖形精度，同時降低了缺陷密度。

臺灣分析師指出，臺積電、英特爾、三星間的激烈競爭將進一步推動EUV光刻機市場需求，特別是對獨家供應商ASML而言。鑒于High-NA EUV設備產能有限，如何在三大晶圓代工巨頭間合理分配資源，無疑將成為一項重大挑戰。