日本住友重工將推出SiC離子注入機
住友重工離子技術公司，作為住友重工的子公司，計劃在2025年向市場推出專為碳化硅（SiC）功率半導體設計的離子注入機。SiC制程雖與硅生產線有諸多相似之處，但由于其高硬度等獨特性質，對生產設備提出了特殊要求。
高溫離子注入機、碳膜濺射儀及高溫退火爐等設備在SiC生產中扮演著關鍵角色。特別是高溫離子注入機，已成為衡量SiC生產線水平的重要標志。住友重工的這一創新技術，不僅將推動SiC半導體制造技術的進步，更有望促進整個半導體行業的發展。
隨著新材料的不斷涌現，傳統的生產設備已無法滿足日益增長的技術需求。住友重工的這項突破，正是為了解決這一難題。未來，隨著SiC離子注入機的推出，我們有望看到更高效、更穩定的SiC功率半導體問世，為電子科技領域注入新的活力。住友重工的這一步，無疑將為全球半導體產業帶來新的發展機遇。
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
SiC
+關注
關注
29文章
2804瀏覽量
62608 -
功率半導體
+關注
關注
22文章
1150瀏覽量
42952 -
碳化硅
+關注
關注
25文章
2748瀏覽量
49019
發布評論請先 登錄
相關推薦
SiC的離子注入工藝及其注意事項
離子注入是SiC器件制造的重要工藝之一。通過離子注入，可以實現對n型區域和p型區域導電性控制。本文簡要介紹離子注入工藝及其注意事項。
源漏離子注入工藝的制造流程
與亞微米工藝類似，源漏離子注入工藝是指形成器件的源漏有源區重摻雜的工藝，降低器件有源區的串聯電阻，提高器件的速度。同時源漏離子注入也會形成n型和p型阱接觸的有源區，或者n型和p型有源區電阻，以及n型和p型多晶硅電阻。
萬業企業旗下凱世通半導體：離子注入機基本自主可控！
科學研究院等離子體物理研究所，元禾璞華投資管理有限公司，以及眾多國內集成電路零部件企業共同參與了此次盛會。通過簽訂戰略合作協議，各方將聯合推動技術創新和產學研合作，促進上游零部件企業一體化發展，進而幫助下游用戶解決本土芯片制造的連續性挑戰。
華瑞微電子科技榮獲離子注入機專利
該專利揭示了一款專用于集成電路生產線的離子注入機，屬于半導體加工設備技術領域。該設備主要由支撐框架、離子注入機構、照射箱組件和擾流機構組成，同時配備吸塵除塵組件。
住友重工2025年擬推碳化硅離子注入機
盡管SiC制造過程中的多數設備與常規硅類通用，但因其具備高硬度特性，需要專屬設備支持，包括高級別的高溫離子注入機、強效的碳膜濺射儀以及大規模的高溫退火爐等。其中，能否擁有高溫離子注入機被視為衡量
SiC與GaN 功率器件中的離子注入技術挑戰
碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導體預計將在電力電子器件中發揮越來越重要的作用。與傳統硅(Si)設備相比，它們具有更高的效率、功率密度和開關頻率等主要優勢。離子注入是在硅器件
凱世通交付首臺面向CIS的大束流離子注入機
據了解，到2024年第一季度為止，該公司已陸續向多個特定客戶發出了多個離子注入機訂單，單季度就完成了八臺離子注入機的客戶端上線工作，呈現出迅猛增長的發展態勢，取得了良好開局。
什么是離子注入？離子注入的應用介紹
離子注入是將高能離子注入半導體襯底的晶格中來改變襯底材料的電學性能的摻雜工藝。通過注入能量、角度和劑量即可控制摻雜濃度和深度，相較于傳統的擴散工藝更為精確。
離子注入中的劑量和濃度之間有何關系呢？
對器件設計工程師來講，離子注入的濃度往往是需要關心的參數，什么樣的濃度對應什么樣的方阻，器件仿真參數輸入的是濃度，通過DSIMS測出來的也是濃度和深度的關系。
離子注入涉及到的隧道效應為什么需要7°角？
隧道效應，又稱溝道效應，對晶圓進行離子注入時，當注入離子的方向與晶圓的某個晶向平行時，其運動軌跡將不再是無規則的碰撞，而是將沿溝道（原子之間的縫隙）運動并且很少受到原子核的碰撞
萬業企業助推凱世通獲得批量采購訂單
據業內人士透露，凱世通長期專注于該行業，產品已應用于邏輯、存儲、功率等多個應用領域。他們所生產的低能大束流離子注入機和高能離子注入機已經實現了產業化突破，無論是工藝覆蓋面，還是良品率，甚至產能，都處于業界領先位置
工商網監
評論