可控硅保護器件制作方法與應用——錯位觸發原理詳解
截至2024年5月14日，上海維安半導體有限公司的“一種基于錯位觸發的可控硅保護器件”發明專利正式公之于眾，其申請公開編號為CN118039639A。
該項技術創新結合了至少一個插指單元，每個單元的核心組件包括：襯底及在襯底一表面上生成的外延層；第一N型阱區和P型阱區，分別在外延層內形成；第一N+區和第一P+區，分別在第一N型阱區內生成，且第一P+區與第一N+區電性相連，構成了保護器件的陽極；第三N+區，在P型阱區內生成，其電性輸出端則作為保護器件的陰極；第二N+區和第二P+區，同樣在外延層內生成，其中第二P+區位于第一N型阱區遠離P型阱區的一側，并與第二N+區直接接觸。此設計的優勢在于，通過將導通路徑與觸發路徑分離開來，顯著提升了器件的穩定性和可靠性。
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