我們要明確負(fù)載電容的概念。負(fù)載電容是指晶振的兩條引線連接IC塊內(nèi)部及外部所有有效電容之和，它在電路中起到了關(guān)鍵的作用。然而，在討論有源晶振是否需要負(fù)載電容時，我們需要注意到，有源晶振與無源晶振在工作原理和應(yīng)用方面有著顯著的差異。

對于無源晶振來說，負(fù)載電容的選擇至關(guān)重要。因?yàn)闊o源晶振屬于被動元器件，需要借助外部的元器件來幫助自己工作。其負(fù)載電容需要與兩邊的電容匹配，一般在頻率輸出腳和輸入腳各一顆對地等值電容，以確保其能夠正常工作。如果負(fù)載電容選擇不當(dāng)，可能會導(dǎo)致晶振性能不穩(wěn)定。有源晶振的情況則完全不同。有源晶振屬于主動元器件，其內(nèi)部已經(jīng)完成了最佳匹配的搭建。在有源晶振的應(yīng)用電路中，其內(nèi)部振蕩電路已經(jīng)完成了匹配，即是說，有源晶振內(nèi)部已經(jīng)有含IC及最佳匹配電容的振蕩電路，信號輸出端無需再外加匹配電容。在信號輸出之前，正弦波已完成自身到方波的整形過程，有源晶振的輸出信號主要為直接對應(yīng)數(shù)字電路信號的方波（CMOS）。注：常規(guī)有源晶振內(nèi)部石英晶體的負(fù)載電容為15pF，也有少數(shù)有源晶振為30pF或50pF。無源晶振和有源晶振接線參考