據(jù)市調(diào)機構TrendForce估算,市場對HBM需求呈現(xiàn)高速增長,加上HBM利潤高,故三星、SK海力士及美光國際三大原廠將增加資金投入與產(chǎn)能投片,預計到2024年底前,HBM(High Bandwidth Memory,高帶寬內(nèi)存)在先進制程中的投片量將占據(jù)35%的比重,其余則用以生產(chǎn)LPDDR5(x)與DDR5產(chǎn)品。
在先進制程中,HBM由于其出色的性能和不斷增長的市場需求,生產(chǎn)順序被優(yōu)先考慮。盡管HBM的良率目前約為50~60%,且晶圓面積相較DRAM產(chǎn)品放大了逾60%,但其投片比重依然較高。
以HBM最新進展來看,TrendForce表示,今年HBM3e是市場主流,集中下半年出貨。SK海力士仍是主要供應商,與美光均采用1β nm制程,兩家廠商已出貨英偉達;三星則采用1α nm制程,第二季度完成驗證,年中交貨。
這一預測來自于集邦咨詢(TrendForce)的研究,該研究指出三大原廠(美光、SK 海力士和三星電子)已經(jīng)開始提高先進制程的投片量,預計1alpha nm(含)以上的投片到年底將占DRAM總投片比重約40%。
這一預測反映了HBM技術在半導體產(chǎn)業(yè)中的重要地位,以及其在滿足AI大模型等應用對海量算力需求方面的關鍵作用。隨著技術的不斷進步和市場需求的持續(xù)增長,HBM有望在未來繼續(xù)保持強勁的發(fā)展勢頭。
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