三星、SK海力士對DRAM和NAND產量持保守態度
在DRAM和NAND芯片的生產上，三星和SK海力士兩大巨頭依然保持謹慎態度。盡管四月份8Gb DDR4 DRAM通用內存的合約價環比上漲，這一上漲主要歸因于地震影響美光內存產能，進而推動了通用內存需求的短暫上升。
然而，整個通用存儲芯片市場仍面臨著不確定性。此外，隨著HBM（高帶寬內存）需求的持續旺盛，三星電子和SK海力士正積極擴產HBM，這勢必會抑制通用DRAM的晶圓投片量。在此背景下，兩大公司對于提高標準DRAM和NAND芯片產量的決策更顯審慎。未來市場走勢如何，還需進一步觀察。
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
DRAM
+關注
關注
40文章
2311瀏覽量
183445 -
SK海力士
+關注
關注
0文章
958瀏覽量
38475 -
三星
+關注
關注
1文章
1521瀏覽量
31207
發布評論請先 登錄
相關推薦
SK海力士Q3利潤有望趕超三星半導體
隨著三星電子定于10月8日發布第三季度初步財務報告，市場焦點轉向了其與SK海力士之間營業利潤的預期差距如何進一步拉大。
SK
三星、SK海力士及美光正全力推進HBM產能擴張計劃
近期，科技界傳來重要消息，三星、SK海力士及美光三大半導體巨頭正全力推進高帶寬內存（HBM）的產能擴張計劃。據預測，至2025年，這一領域的新增產量
SK海力士轉向4F2 DRAM以降低成本
SK海力士近日宣布了一項重要計劃，即開發采用4F2結構（垂直柵）的DRAM。這一決策緊跟其競爭對手三星的步伐，標志著SK
三星、SK海力士通用DRAM產線開工率維持80%~90%
在半導體存儲行業，三星電子和SK海力士兩大韓國巨頭一直以其卓越的技術和產能占據市場的重要地位。然而，近期韓媒援引業內人士的消息稱，這兩大巨頭的通用DRAM（動態隨機存取存儲器）產線開工
三星和SK海力士未恢復增產并計劃限制DRAM產量
根據行業預估，三星和SK海力士有望在今年擴展產量以應對逐步好轉的半導體市場環境。然而，他們在今年一季度財政報告會上均表示，DRAM
漲價20%！三星、 SK 海力士將停止供貨這類芯片
業界傳出，全球前二大DRAM供貨商三星、SK海力士全力沖刺高帶寬內存（HBM）與主流DDR5規格內存，下半年起將停止供應DDR3利基型DRAM
三星/SK海力士DRAM大幅擴產，恢復至削減前水平，存儲新周期開啟
出，三星電子已將今年第二季度的平均每月DRAM晶圓投入量調升至60萬片，環比增長13%；預計下半年將DRAM晶圓投入量增加至66萬片，DRAM產量
SK海力士、三星電子年內啟動1c納米DRAM內存量產
三星近期在Memcon 2024行業會議中聲稱，計劃于今年底以前實現1c nm工藝的量產。另據行業消息人士透露，SK海力士已確定在第三季度實現1c納米
剛剛！SK海力士出局！
在基礎晶圓上通過硅通孔（TSV）連接多層DRAM，首批HBM3E產品均采用8層堆疊，容量為24GB。SK海力士和三星分別在去年8月和10月向英偉達發送了樣品。此前有消息稱，英偉達已經向
三星追趕AI芯片競賽，計劃采用海力士制造技術
三星必須采取一些措施來提高其HBM產量......采用MUF技術對三星來說有點不得已而為之，因為它最終遵循了SK海力士首次使用的技術。
三星和SK海力士尋求存儲芯片零部件供應商降價
據報道，業內人士透露，由于DRAM、NAND等存儲半導體市場嚴重低迷，三星電子和SK海力士這兩家全球主要的存儲芯片制造商已向韓國的一些存儲半
傳三星/SK海力士已開始訂購DRAM機群工藝和HBM相關設備
數據顯示，首爾半導體操作 DRAM晶圓及HBM相關設備的定單數量有所上升。其中三星電子已開始擴大其HBM生產能力，并啟動大規模HBM設備采購；此外，三星和SK
工商網監
評論