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三星電子研發16層3D DRAM芯片及垂直堆疊單元晶體管

微云疏影 ? 來源:綜合整理 ? 作者:綜合整理 ? 2024-05-22 15:02 ? 次閱讀

三星電子高層透露,其已研發出16層3D DRAM芯片。

在今年的IEEE IMW 2024活動中,三星DRAM業務的資深副總裁Lee指出,已有多家科技巨頭如三星成功制造出16層3D DRAM,其中美光更是發展至8層水平。

然而,他也強調,現階段三星正致力于探索3D DRAM及垂直堆疊單元陣列晶體管(VS-CAT)的可行性,暫無大量量產的計劃。值得注意的是,Lee曾在美光擔任過未來存儲芯片的研究工作,后于去年加入三星。

VS-CAT與傳統DRAM有所區別,其采用雙硅晶圓設計,外圍設備和邏輯/存儲單元獨立連接。若將外圍設備直接連接至單元層,會導致表面積過大。

因此,外圍設備通常在另一片晶圓上制造,再與存儲單元通過鍵合方式連接。預計3D DRAM將采用晶圓對晶圓(wafer-to-wafer)等混合鍵合技術進行生產,此項技術已廣泛運用于NAND和CMOS圖像傳感器的制造過程。

此外,三星還計劃將背面供電網絡(BSPDN)技術引入3D DRAM領域。

同時,三星亦在研究垂直溝道晶體管(VCT)。VCT又稱4F2,較之先前的6F2技術,可大幅降低晶粒表面積,最高可達30%。據悉,原型產品有望于明年問世。

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