Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布，公司推出了業(yè)界領(lǐng)先的1200V碳化硅（SiC）MOSFET，標(biāo)志著其在高功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的又一重要突破。
這款新型MOSFET采用D2PAK-7表面貼裝器件（SMD）封裝，提供30、40、60和80 mΩ RDson值供客戶選擇。這一靈活的封裝和多樣化規(guī)格滿足了不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。
Nexperia在2023年底發(fā)布的兩款采用3引腳和4引腳TO-247封裝的SiC MOSFET分立器件基礎(chǔ)上，進(jìn)一步豐富了其SiC MOSFET產(chǎn)品組合。此次推出的新品不僅擴(kuò)展了RDson值的范圍（包括17、30、40、60和80 mΩ），還提供了更加靈活的封裝選擇。
Nexperia的持續(xù)創(chuàng)新和技術(shù)進(jìn)步，將進(jìn)一步推動(dòng)碳化硅MOSFET在電力電子、新能源汽車等領(lǐng)域的應(yīng)用和發(fā)展。
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