臺積電高級副總裁兼聯(lián)席COO張曉強(qiáng)在2024年度技術(shù)論壇上宣稱，其公司已成功實現(xiàn)不同晶體管結(jié)構(gòu)的集成，并在實驗室制造了CFET（互補(bǔ)式場效應(yīng)晶體管）。他預(yù)期這種新型器件將應(yīng)用于尖端邏輯工藝和未來代的先進(jìn)邏輯工藝，研發(fā)團(tuán)隊也正在研究引入新的材料以使單個邏輯芯片能容納超過2000億顆晶體管，助力半導(dǎo)體行業(yè)的持續(xù)創(chuàng)新。

張曉強(qiáng)強(qiáng)調(diào)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的黃金時代已然來臨，未來AI芯片的發(fā)展幾乎99%都依賴于臺積電的先進(jìn)邏輯技術(shù)和先進(jìn)封裝技術(shù)。臺積電憑借技術(shù)創(chuàng)新，將在未來提升芯片性能和降低功耗方面發(fā)揮更大作用。

關(guān)于2nm制程，張曉強(qiáng)透露，該項目進(jìn)展順利，采用納米片技術(shù)，目前納米片轉(zhuǎn)換效率已達(dá)目標(biāo)的90%，良品率超過80%，預(yù)計將于2025年實現(xiàn)量產(chǎn)。他進(jìn)一步表示，基于2nm技術(shù)，臺積電全球首發(fā)的A16制程結(jié)合獨特的背面供電技術(shù)，可使芯片性能較2nm提高8%-10%，同時能耗降低15%-20%。臺積電計劃于2026年將A16投入量產(chǎn)，首款芯片將用于數(shù)據(jù)中心高性能計算領(lǐng)域。

此外，臺積電還在實驗室成功集成了P-FET和N-FET兩種不同類型的晶體管，制造出了CFET架構(gòu)的芯片。這是在2nm采用納米片架構(gòu)創(chuàng)新之后，臺積電在晶體管架構(gòu)創(chuàng)新方面的又一重大突破。

張曉強(qiáng)表示，在CFET之后，臺積電研發(fā)團(tuán)隊將繼續(xù)探索更多的晶體管新材料和創(chuàng)新架構(gòu)，如Ws2或WoS2等無機(jī)納米管或納米碳管，這預(yù)示著臺積電不僅將CFET引入更先進(jìn)的埃米級制程，而且還將持續(xù)推動更先進(jìn)的晶體管架構(gòu)創(chuàng)新。

另一方面，臺積電3nm制程的資深廠長黃遠(yuǎn)國表示，盡管今年該制程的產(chǎn)量將增加三倍，但仍然無法滿足市場需求。為了滿足客戶需求，臺積電今年將在國內(nèi)外新建七座工廠，涵蓋先進(jìn)制程、先進(jìn)封裝和成熟制程。

黃遠(yuǎn)國指出，自2020年至2024年，臺積電3nm、5nm、7nm制程的產(chǎn)能年均增長率高達(dá)25%，特殊制程的年均增長率為10%，汽車芯片的年均增長率約為50%。他還提到，臺積電特殊制程技術(shù)在成熟產(chǎn)品中的占比也在穩(wěn)步上升，預(yù)計到2024年將達(dá)到67%。在2022至2023年間，臺積電平均每年建設(shè)五個工廠，而今年計劃建設(shè)的工廠數(shù)量則增至七個，包括在中國臺灣建設(shè)三個晶圓廠、兩個封裝廠以及在海外建設(shè)兩個工廠。