為快充、功率轉換和儲能、電機驅動等應用，打造最安全、最高效、最可靠的功率器件的最新氮化鎵和碳化硅技術即將閃耀全球頂尖的電力電子盛會

加利福尼亞州托倫斯2024年5月21日訊 —GaNFast氮化鎵和GeneSiC碳化硅功率半導體行業領導者——納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）誠邀觀眾參加6月11日-13日在德國紐倫堡舉行的PCIM 2024并造訪“納微芯球”展臺，親自探索下一代行業領先的氮化鎵和碳化硅方案如何在20W-20MW的快速增長市場和應用中提供卓越性能。

作為“電力轉換與智能運動”領域的專業盛會，PCIM今年步入第二十五個年頭，憑借著多年來持續為電力電子的行業專家提供國際化交流和展示平臺而享譽全球。

秉承著“Electrify Our World”的使命，納微半導體誠邀觀眾探索“納微芯球”展臺，了解下一代氮化鎵和碳化硅技術如何為全電氣化交通運輸、AI數據中心、工業壓縮機，馬達和機器人技術、可再生能源開發和存儲提供最新的解決方案。每件展品都強調了如便攜性提高、續航里程更長、充電速度更快和電網獨立性等對終端用戶帶來的顯著優勢，以及低碳的氮化鎵和碳化硅技術如何在2050年實現每年減少超過60億噸的二氧化碳排放。

納微半導體歐洲區銷售高級總監Alessandro Squeri

“PCIM是電力電子行業的年度大事件之一。性能互補的GaNFast和GeneSiC產品組合，結合全面的、針對特定應用的系統設計支持，通過可持續的性能優勢有效加速客戶的產品上市時間。

納微展臺即將展示一批令人振奮的最新氮化鎵和碳化硅應用，這些應用的在研客戶價值達16億美元，是高達220億美元/年的市場機遇的重點部分。”

在PCIM 2024上，納微半導體帶來以下最新技術：

安全、可靠的大功率旗艦GaNSafe寬禁帶平臺

創下集成度新高度的第四代GaNSense Half-Bridge半橋氮化鎵功率芯片

為電機驅動和能量存儲應用帶來顛覆性改變的第三代快速GeneSiC功率FETs。

同時，納微半導體還將在PCIM 2024上帶來經行業評審后的精彩技術分享，包括：

演講

SESSION

“Low-Cost High-Density 300 W / 20 V AC-DC Converter Enabled by GaN Power ICs”

時間與地點：

6月11日，13:00 – 14:30，10.1廳

演講者：

Alfred Hesener，納微半導體工業應用高級總監

摘要：

該報告將分享一種300W的高功率密度、低成本AC-DC轉換器，其體積僅270cc，峰值效率> 96%。其電路拓撲包括一個兩相交錯式PFC輸入級，一個LLC DC-DC級和一個同步整流輸出級。基于氮化鎵功率芯片和運行在300 kHz的通用控制器全新設計，在裝殼后可實現1.1W/cc的功率密度。

論文

PAPER

Evaluation of SiC Devices for Over 500 kHz Application Based on Buck Circuit

時間與地點：

6月12日，15:30 – 17:00，前廳

作者：

賈民立，納微半導體高級主任應用工程師

摘要：

本文選擇了三個規格相似、制造商不同的1200V碳化硅器件進行分析和實驗研究，并設計了一個輸出功率為3.6kW、開關頻率為600 kHz的降壓轉換器。在相同的工作條件下測試了這三種碳化硅器件的效率和熱，結果表明具有快速開關特性和低熱阻的碳化硅器件更適合在高頻轉換器應用，GeneSiC 的碳化硅器件是其中的代表。

PCIM 2024將于6月11日-13日在德國紐倫堡展覽中心（Messe Karl-Sch?nleben-Str. Messeplatz 1, 90471 Nürnberg, Germany）盛大舉辦，“納微芯球”展臺位于9號館，展位號544，歡迎大家蒞臨展臺參觀交流。

審核編輯：劉清