三星HBM芯片雖通過英偉達測試，仍存挑戰(zhàn)
據(jù)媒體報道，三星最新的高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片至今仍未通過英偉達檢驗。有三位相關知情者稱，此芯片面臨著熱能及能耗過高等難題。同時，這也直接影響到了HBM3和HBM3E兩款芯片的表現(xiàn)。
對此，三星在聲明中回應道，HBM為定制化內(nèi)存產(chǎn)品，需依據(jù)客戶需求進行優(yōu)化流程。此外，他們正積極與客戶緊密合作以提升產(chǎn)品性能。對于具體客戶，三星并未作出評價。而英偉達則選擇保持沉默。
據(jù)悉，自去年起，三星便致力于通過英偉達的測試以證明HBM3和HBM3E的性能。兩位知情者透露，三星8層和12層HBM3E芯片的測試結果于今年4月公布，均未達到預期效果。
至于這些問題能否迅速得到解決，三位知情者表示，未能滿足英偉達的要求無疑加劇了業(yè)內(nèi)和投資者的憂慮，擔心三星將在與SK海力士和美光等競爭對手的較量中落入下風。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
英偉達
+關注
關注
22文章
3872瀏覽量
92451 -
HBM
+關注
關注
0文章
393瀏覽量
14903 -
三星
+關注
關注
1文章
1645瀏覽量
31806
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
三星與英偉達高層會晤，商討HBM3E供應
其高帶寬存儲器HBM3E產(chǎn)品中的初始缺陷問題，并就三星第五代HBM3E產(chǎn)品向英偉達供應的相關事宜進行了深入討論。 此次高層會晤引發(fā)了外界的廣
英偉達加速認證三星AI內(nèi)存芯片
近日，英偉達公司正在積極推進對三星AI內(nèi)存芯片的認證工作。據(jù)英偉達CEO透露，他們正在不遺余力地
三星電子或向英偉達供應先進HBM
領域的競爭對手SK海力士公司最近也取得了不小的突破。據(jù)悉，SK海力士已經(jīng)開始量產(chǎn)業(yè)界領先的12層HBM3E芯片。這一消息無疑加劇了HBM市場的競爭態(tài)勢。 然而，對于三星電子來說，向
三星HBM3E內(nèi)存挑戰(zhàn)英偉達訂單,SK海力士霸主地位受撼動
進入八月，市場傳言四起，韓國存儲芯片巨頭三星電子（簡稱“三星”）的8層HBM3E內(nèi)存（新一代高帶寬內(nèi)存產(chǎn)品）已順利通過
三星電子否認HBM3e芯片通過英偉達測試
韓國新聞源NewDaily近日發(fā)布了一則報道，聲稱三星電子的HBM3e芯片已成功通過英偉達的產(chǎn)品
三星否認HBM3E通過英偉達測試傳聞
近期，有媒體報道稱三星電子已成功通過英偉達（NVIDIA）的HBM3E（高帶寬內(nèi)存）質量測試，并
三星HBM研發(fā)受挫，英偉達測試未達預期，如何滿足AI應用GPU的市場需求？
據(jù)DigiTimes報道，三星HBM3E未能通過英偉達測試可能源于臺積電審批環(huán)節(jié)出現(xiàn)問題。
傳三星HBM3E尚無法通過英偉達認證
三星電子近期正積極投入驗證工作，以確保其HBM3E產(chǎn)品能夠順利供應給英偉達。然而，業(yè)界傳出消息，因臺積電在采用標準上存在的某些問題，導致8層HBM
三星HBM3E芯片驗證仍在進行，英偉達訂單分配備受關注
業(yè)內(nèi)評論指出，三星HBM之所以出現(xiàn)問題，主要原因在于負責英偉達GPU制造的臺積電在驗證過程中采用了SK海力士的標準。由于SK海力士8層HBM
英偉達CEO贊譽三星HBM內(nèi)存，計劃采購
提及此前有人預測英偉達可能向三星購買HBM3或HBM3E等內(nèi)存，黃仁勛在會上直接認可三星實力，
工商網(wǎng)監(jiān)
評論