電子發(fā)燒友網報道（文/吳子鵬）此前，臺積電高級副總裁張曉強在技術研討會上表示，“ASML最新的高數值孔徑極紫外光刻機（high-NA EUV）價格實在太高了，臺積電目前的極紫外設備（EUV）足以應對2026年末將推出的A16節(jié)點技術需求。”

不過，有外媒報道稱，ASML截至明年上半年絕大部分high-NA EUV設備的訂單已經由英特爾承包，包括今年計劃生產的五套設備將全部運給這家美國芯片制造商。目前，英特爾方面已經完成世界首臺high-NA EUV光刻機的安裝。

另外，英特爾正在大力推動玻璃基板，已加大了與多家設備和材料供應商的訂單，以生產基于玻璃基板技術的下一代先進封裝，預計將于2030年投入量產。

從這些動作可以看出，英特爾在晶圓代工和先進封裝方面有很大的野心，不過如此大的投入和前瞻布局，風險也不小。

英特爾的代工業(yè)務急需破局

根據英特爾此前發(fā)布的2024年第一季度業(yè)績，該季度英特爾總營收127億美元，同比增長9%，符合業(yè)績指引。然而，英特爾代工（Intel Foundry）部門第一季營收同比下滑10%至44億美元，營業(yè)虧損25億美元，主要因晶圓廠建置成本極高。按照英特爾的預測，至少要到2030年才能夠實現晶圓代工業(yè)務的盈虧平衡。

據介紹，英特爾代工正在部署一種全新且為全球首創(chuàng)的全棧解決方案支持方法，以加速上市，引領行業(yè)從“片上系統(tǒng)”向“晶片系統(tǒng)”轉型。目前，英特爾主推的代工服務是Intel3、Intel18A和Intel16A。其中，Intel3是Intel4的改進版，性能功耗比提升了17%，增加密集程度更高的庫、改進驅動器電流和互連，且產量更高；Intel18A采用了RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管技術，這是英特爾自2011年FinFET以來的首個全新晶體管架構，與 FinFET 相比實現晶體管獲得更高的性能，以及更低的功耗。另外，英特爾在Intel18A工藝上引入了業(yè)界首個背面電能傳輸網絡PowerVia，優(yōu)化了信號傳輸，并提供了更好的面積效率，從而能明顯提升芯片的性能。去年底英特爾首席執(zhí)行官Pat Gelsinger曾透露，Intel18A制程已提前實現量產，該公司計劃在明年中旬發(fā)布Intel 18A制程處理器產品。

對于Intel18A工藝的性能，Pat Gelsinger表示，“即將推出的18A工藝節(jié)點，實質上是1.8nm技術，可能會超越TSMC的2nm芯片。”不過，和臺積電在設備選擇上有明顯的差異，臺積電預計在A16上繼續(xù)使用現有的EUV光刻機，而英特爾現在已經買進high-NA EUV光刻機。ASML透露，high-NA EUV光刻機的價格大概為3.8億美元，是現有EUV光刻機（約1.83億美元）的兩倍多。目前ASML已從英特爾和SK海力士等公司獲得了high-NA EUV光刻機的訂單，數量在10至20臺之間。

接近臺積電方面的人士稱，臺積電可能要到A10工藝才會開始使用high-NA EUV光刻機，時間節(jié)點可能到2030年。三星方面可能會提前，預計會在2028年之前引入。從這方面來看，英特爾確實是下了決心并走了險棋。

然而，雖然英特爾對代工業(yè)務野心勃勃，但其不能不重視持續(xù)以來的高額虧損。實際上，2023年，英特爾代工全年的虧損為70億美元，如果按照第一季度的表現，那么2024年代工業(yè)務虧損必將超過這一數值，給英特爾的運營帶來更大的壓力。并且，短期來看英特爾很難對臺積電的代工地位發(fā)起沖擊。研究機構Counterpoint 的報告顯示，2023年第四季度臺積電獨占全球晶圓代工市場61%份額，依然占據著絕對的市場主導地位。作為對比，全球前五大晶圓代工廠在該季度整體的市場占比為88.8%，除臺積電外還有三星的14%，格芯、聯(lián)電和中芯國際分別是6%、6%和5%。因此，英特爾要趕超的對手還有很多。更重要的是，作為全球晶圓代工的第二名，三星也是在設備和新技術上比較激進的代表。

英特爾積極推動玻璃基板先進封裝

在英特爾代工業(yè)務介紹中提到，該公司提供高級節(jié)點芯片、封裝解決方案和彈性供應，以幫助在關鍵行業(yè)中獲得創(chuàng)新地位。因此，對于英特爾大力發(fā)展的代工業(yè)務來說，先進封裝也非常重要。

實際上，這是一條臺積電已經走得很成功的路。目前，臺積電先進封裝技術在高性能計算芯片制造的過程價值量越來越高，也得到了市場的廣泛認可。據悉，由于人工智能技術的飛速發(fā)展，數據中心GPU需求激增，目前臺積電面臨CoWoS先進封裝技術的產能危機。最新的CoWoS技術中介層面積增加、HBM容量提升，以排列更多的芯片、容納更多的晶體管從而提高系統(tǒng)性能。

不過，目前臺積電CoWoS依然是塑料基板+硅中介層的方案，有著膨脹與翹曲等限制。有業(yè)內專家表示，目前臺積電CoWoS地位不可撼動，該公司似乎還沒有發(fā)展玻璃基板的想法。因此，玻璃基板是英特爾和三星從先進封裝超越臺積電的最佳路徑。

英特爾是業(yè)內最先推動玻璃基板發(fā)展的，資料顯示，英特爾開發(fā)玻璃基板已有近十年的歷史。過去十年投資約10億美元，在亞利桑那州工廠建立玻璃基板研發(fā)線和供應鏈，預計在2026至2030年推出完整的玻璃基板方案，使單一封裝納入更多的晶體管，并繼續(xù)推進摩爾定律。

之所以英特爾大力推動玻璃基板的發(fā)展，原因是玻璃基板有諸多性能優(yōu)勢。玻璃基板芯片的功率和數據連接能力相當于有機基板芯片的10倍，所以它擁有更強的數據吞吐能力。另外，玻璃基板芯片傳輸時能耗浪費更少，擁有更高的傳輸速度、更節(jié)能，而且它還可以承受更高的溫度。

不過，就像在先進制程領域一樣，英特爾同樣要面臨三星的沖擊。專家表示，預計三星在玻璃基板技術上的進展可能快于英特爾，因為其用途更明確，而英特爾需要滿足更高的標準。據悉，三星目前內部正在加大研發(fā)力量，預計在2026年推出基于玻璃基板的先進封裝，搶在英特爾的前面。

結語

英特爾在晶圓代工領域投入了重金，可謂是志在必得。然而，英特爾要引領全球晶圓代工市場的發(fā)展，第一步并不是超越臺積電，而是打敗三星這個第二名。和英特爾一樣，三星在晶圓代工領域同樣激進，且很有財力。在持續(xù)巨額的虧損下，英特爾需要先和三星進行一場白刃戰(zhàn)，然后才能夠想超越臺積電的事情，這讓英特爾大力投資的晶圓代工業(yè)務有著巨大的風險。