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劍指HBM及AI芯片,普萊信重磅發(fā)布Loong系列TCB先進(jìn)封裝設(shè)備

焦點(diǎn)訊 ? 來(lái)源:焦點(diǎn)訊 ? 作者:焦點(diǎn)訊 ? 2024-05-27 14:19 ? 次閱讀

隨著Chat GPT的火爆,整個(gè)AI硬件市場(chǎng)迎來(lái)了奇點(diǎn),除了GPU之外,HBM存儲(chǔ)也進(jìn)入了爆發(fā)式的增長(zhǎng),根據(jù)TrendForce,2022年全球HBM容量約為1.8億GB,2023年增長(zhǎng)約60%達(dá)到2.9億GB,2024年將再增長(zhǎng)30%。如果以HBM每GB售價(jià)20美元測(cè)算,2022年全球HBM市場(chǎng)規(guī)模約為36.3億美元,預(yù)計(jì)至2026年市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)127.4億美元,對(duì)應(yīng)CAGR約37%。

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然而,全球的HBM生產(chǎn)基本壟斷在SK海力士,三星及美光的手中,其中SK海力士在HBM市場(chǎng)擁有最大的市場(chǎng)份額,它是占據(jù)AI GPU市場(chǎng)80%份額的Nvidia的HBM3內(nèi)存唯一供應(yīng)商,并于3月份開(kāi)始量產(chǎn)最新一代HBM3E。美光和三星等競(jìng)爭(zhēng)供應(yīng)商正在開(kāi)發(fā)自己的 HBM產(chǎn)品,以阻止SK海力士主導(dǎo)市場(chǎng)。在整個(gè)市場(chǎng)中,中國(guó)廠商基本完全缺位。

同時(shí),由于美國(guó)BIS 2022年針對(duì)高算力芯片的規(guī)則3A090管控指標(biāo)較高,英偉達(dá)等廠商通過(guò)降低芯片互聯(lián)速率方式對(duì)中國(guó)持續(xù)供應(yīng),同時(shí),美國(guó)商務(wù)部認(rèn)為中國(guó)企業(yè)通過(guò)海外子公司或者其他海外渠道,規(guī)避許可證相關(guān)規(guī)定獲取先進(jìn)計(jì)算芯片。2023年新規(guī)修改了3A090芯片及相關(guān)物項(xiàng)的技術(shù)指標(biāo),擴(kuò)大了針對(duì)高算力芯片的許可證要求及直接產(chǎn)品原則的適用范圍,并增加了先進(jìn)計(jì)算最終用途管控。在美國(guó)的制裁和管控下,無(wú)論是先進(jìn)的GPU,HBM產(chǎn)品,還是制造AI芯片和HBM的先進(jìn)封裝設(shè)備,都基本斷絕了對(duì)中國(guó)的供給。

芯片和存儲(chǔ)的制造,是卡在中國(guó)AI產(chǎn)業(yè)脖子上最緊的鐵鏈,其中最關(guān)鍵的設(shè)備,除了光刻機(jī)之外,在整個(gè)AI芯片和HBM的制造工藝中,2.5D或者3D先進(jìn)封裝,芯片堆疊的先進(jìn)工藝和設(shè)備是其核心之一,無(wú)論海力士,三星還是美光,現(xiàn)階段采用的均是TCB工藝,其中,海力士采用TCB MR-MUF, 三星及美光主要以TCB NCF技術(shù),但是隨著HBM的發(fā)展,隨著HBM4的到來(lái),堆疊層數(shù)從8層到16層,IO間距持續(xù)縮小到10微米左右的,TCB工藝也向著Fluxless演進(jìn)。

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在過(guò)去數(shù)年,普萊信智能一直和相關(guān)客戶緊密配合,進(jìn)行TCB工藝和整機(jī)的研發(fā),攻克并構(gòu)建了自己的納米級(jí)運(yùn)動(dòng)控制平臺(tái),超高速的溫度升降系統(tǒng),自動(dòng)調(diào)平系統(tǒng)及甲酸還原系統(tǒng)。在此基礎(chǔ)上,普萊信智能構(gòu)建完成Loong系列TC Bonder技術(shù)平臺(tái),并針對(duì)AI芯片,HBM等不同產(chǎn)品的需求,推出Loong WS及Loong F系列產(chǎn)品。

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其中Loong WS可以兼容C2W及C2S封裝形式,最高精度為±1um, 做到和國(guó)外最先進(jìn)產(chǎn)品同一水準(zhǔn),可以支持TCB NCF, TCB MR-MUF等工藝。

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Loong F為下一代的HBM3E和HBM技術(shù)準(zhǔn)備的Fluxless工藝設(shè)備,在Loong WS平臺(tái)基礎(chǔ)上增加了甲酸還原系統(tǒng),消除了Flux在整個(gè)堆疊工藝中帶來(lái)的不良,可以直接進(jìn)行coper-coper的鍵合,支持最小IO pitch在15微米,在未來(lái)HBM4堆疊層數(shù)增加和IO激增的情況下,Loong F將會(huì)是最具性價(jià)比的解決方案。

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相信隨著中國(guó)半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步和普萊信智能Loong系列TCB設(shè)備的推出和量產(chǎn),國(guó)產(chǎn)廠商在AI芯片和HBM產(chǎn)品的研發(fā)和制造上,將在不遠(yuǎn)的將來(lái)引來(lái)爆發(fā)點(diǎn)。

審核編輯 黃宇

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