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MPRA1C65-S61 650V 碳化硅功率模塊詳解

深圳市浮思特科技有限公司 ? 2024-05-27 11:16 ? 次閱讀

今天我們來講一款FST SIC DIODE模塊MPRA1C65-S61,這款SiC Module可以適用更高的開關頻率,可忽略的反向恢復與開關損耗,大大的提高整機效率,可適當的減少散熱器件體積。

wKgZomZT-vSAZ-xYAAR8JLleOHQ269.png

模塊采用帶有散熱片的S6小型封裝,具有體積小、結構緊湊、功能強大、用戶使用簡單靈活的特點,是焊接切割設備,開關電源 充電設備等領域的理想功率模塊

快速參考數據:

650V/100A 碳化硅DIODE模塊

反向重復峰值電壓:600V

連續正向電流:100A

熱阻:0.68℃/W

安裝扭矩-端子:3±15%Nm

安裝扭矩-散熱器:5±15%Nm

模塊大約重量:170g

特征:

絕緣耐壓

端子與外殼之間外加交流電 1 分鐘

封裝形式:S6,

多種保護功能,包括欠壓保護、過流保護、過溫保護

故障狀態報告輸出線性溫度感測輸出

S6封裝形式(Package Outline):

wKgaomZT-wGAAEYmAACW1TU9ppo156.png

應用:

焊接切割設備

開關電源

充電設備

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