據日媒報道,美國美光科技公司將斥資6000~8000億日元(約合277.2~369.6億元人民幣)在日本廣島新建一座DRAM內存晶圓廠。該廠預計將于2026年破土動工,并于2027年底投入運營。
據悉,新廠將采用EUV光刻機技術,并計劃在2025年量產的下一代1-gamma(nm)節點引入EUV光刻技術。鑒于DRAM行業的代際周期,新廠有望具備生產1-gamma甚至1-delta DRAM的能力。
原本,美光希望在今年啟動新廠運營,以便在2025年量產后迅速擴大1-gamma DRAM的產能。然而,受半導體行業尤其是存儲領域衰退影響,美光已調整投資計劃,放慢了產能擴張步伐。
值得注意的是,新廠建設費用中的一部分將由日本經濟產業省提供補貼,最高金額可達1920億日元(約合88.7億元人民幣)。
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