美光近期發(fā)布公告,將斥資45至55億美元在日本廣島建設DRAM芯片制造工廠,以引入頂尖EUV設備,預計最早于2027年末實現(xiàn)先進DRAM量產(chǎn)。
此項投資預計為6000億至8000億日元(約合38億至51億美元),項目將于2026年初啟動。資金主要用于打造先進制造設施,包括EUV設備的安裝。
早前,因市場環(huán)境不理想,美光原定于2024年投產(chǎn)的廣島工廠計劃被推遲。然而,隨著芯片市場復蘇及人工智能領域?qū)RAM芯片需求激增,美光決定重啟該項目。
廣島工廠自2013年美光收購日本DRAM巨頭爾必達(Elpida)以來一直由美光經(jīng)營,擁有超過4000名工程師和技術人員。
美光日本區(qū)負責人Joshua Lee去年12月透露,廣島工廠將于2025年開始生產(chǎn)最先進的存儲芯片“1γ(Gamma)DRAM”,同時還將生產(chǎn)生成式AI用高帶寬存儲器(HBM)。
2023年10月,日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省批準向美光廣島工廠提供高達1920億日元(約合13億美元)的補貼。
美光表示,未來幾年內(nèi)將在日本投資最多5000億日元,其中廣島工廠是其研發(fā)和大規(guī)模生產(chǎn)的重要基地,用于推進其尖端DRAM技術的發(fā)展。
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