一、前言

全橋電路定義

全橋電路是一種常見的電子電路，由四個(gè)開關(guān)管和一個(gè)負(fù)載組成，可將直流電轉(zhuǎn)換為交流電。

全橋電路的應(yīng)用領(lǐng)域

全橋電路廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域，如開關(guān)電源、變頻器、逆變器、電動汽車、工業(yè)自動化等領(lǐng)域 。在電路中，全橋電路可以使直流電轉(zhuǎn)換成交流電；在電機(jī)控制中，全橋電路可用于變頻調(diào)速和正弦波控制。

二、全橋電路的原理

全橋電路通過控制開關(guān)管的通斷來改變電源與負(fù)載之間的電壓極性，實(shí)現(xiàn)對負(fù)載的驅(qū)動。在上半周期內(nèi)，開關(guān)管Q1、Q4閉合，Q2、Q3斷開，電源的正極通過Q1進(jìn)入負(fù)載，負(fù)載的負(fù)極通過Q4回到電源的負(fù)極。在下半周期內(nèi)，開關(guān)管Q2、Q3閉合，Q1、Q4斷開，電源的正極通過Q3進(jìn)入負(fù)載，負(fù)載的負(fù)極通過Q2回到電源的負(fù)極。這樣就能實(shí)現(xiàn)直流電源向交流負(fù)載的轉(zhuǎn)換。

三、全橋電路對于MOS管的需求

（1）主要損耗構(gòu)成：①M(fèi)OS管的導(dǎo)通損耗直接由導(dǎo)通Rdson決定，要求MOS管的Rdson更低。②MOS管的開關(guān)損耗，由MOS管的米勒平臺等參數(shù)決定，要求MOS管開關(guān)特性好，開關(guān)速度快，交越損耗小；

（2）后端是感性負(fù)載，需要二極管反向續(xù)流，要求功率MOS二極管反向恢復(fù)特性較好，具有較短反向恢復(fù)時(shí)間trr。

四、全橋電路MOS管選型

根據(jù)不同的應(yīng)用需求，全橋電路還可分為全橋逆變電路、全橋整流電路等，瑞森半導(dǎo)體多層外延超結(jié)MOS系列，可應(yīng)用于全橋電路不同的應(yīng)用中。

瑞森半導(dǎo)體超結(jié)MOS全系列采用多層外延工藝，具有低導(dǎo)通損耗、大通流能力、低柵極電荷、低開啟電壓、出色的非鉗位感性開關(guān)能力等工藝特色。再加上我司對產(chǎn)品進(jìn)行百分之百的雪崩能量擊穿測試等自有標(biāo)準(zhǔn)；產(chǎn)品對標(biāo)英飛凌C3、 P6、P7系列 ; 封裝產(chǎn)品豐富，為設(shè)計(jì)者們提供了極大的靈活性。

全橋電路作為一種常見的電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，具有良好的電流/電壓控制能力。針對全橋電路不同的應(yīng)用場景，瑞森半導(dǎo)體提供整體功率半導(dǎo)體解決方案。