SK海力士在半導體領域再次邁出創新步伐,計劃在其第6代(1c工藝,約10nm)DRAM的生產中,首次采用Inpria的下一代金屬氧化物光刻膠(MOR)。這一突破性的應用標志著MOR技術正式進入DRAM量產工藝。
據悉,SK海力士即將量產的1c DRAM將包含五個極紫外(EUV)層,其中一層將使用MOR進行繪制。這不僅展現了SK海力士在先進制造技術上的領先實力,也預示了半導體制造行業的新趨勢。
值得注意的是,不僅SK海力士,三星電子也對該類無機PR材料表現出濃厚興趣,預計將加入MOR技術的探索與應用行列。這一技術的廣泛應用,有望為半導體行業帶來更多的創新與突破。
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。
舉報投訴
-
半導體
+關注
關注
334文章
27290瀏覽量
218084 -
DRAM
+關注
關注
40文章
2311瀏覽量
183445 -
SK海力士
+關注
關注
0文章
958瀏覽量
38475
發布評論請先 登錄
相關推薦
SK海力士調整生產策略,聚焦高端存儲技術
限的產能轉向更高端的產品線,如人工智能用存儲器及先進DRAM產品。 SK海力士的這一決策可能與其重點發展高端存儲技術研發和生產有關。近日,該
SK海力士開始先進人工智能芯片生產
SK海力士宣布,公司已正式踏入人工智能芯片生產的新階段,批量生產業界領先的12層HBM3E芯片。這款芯片不僅代表了SK
SK海力士M16晶圓廠擴產,DRAM產能將增18%
SK 海力士,作為全球知名的半導體巨頭,近期宣布了一項重要的擴產計劃,旨在通過擴大M16晶圓廠的生產規模,顯著提升其DRAM內存產能。據韓媒報道,S
SK海力士轉向4F2 DRAM以降低成本
SK海力士近日宣布了一項重要計劃,即開發采用4F2結構(垂直柵)的DRAM。這一決策緊跟其競爭對手三星的步伐,標志著SK海力士在
SK海力士探索無焊劑鍵合技術,引領HBM4創新生產
在半導體存儲技術的快速發展浪潮中,SK海力士,作為全球領先的內存芯片制造商,正積極探索前沿技術,以推動高帶寬內存(HBM)的進一步演進。據最新業界消息,
SK海力士將在HBM生產中采用混合鍵合技術
在半導體技術日新月異的今天,SK海力士再次站在了行業創新的前沿。據最新消息,該公司計劃于2026年在其高性能內存(High Bandwidt
SK海力士5層堆疊3D DRAM制造良率已達56.1%
在全球半導體技術的激烈競爭中,SK海力士再次展示了其卓越的研發實力與創新能力。近日,在美國夏威夷舉行的VLSI 2024峰會上,SK
SK海力士五層堆疊的3D DRAM生產良率達到56.1%
近日,半導體行業迎來了一項重大技術突破。據BUSINESSKOREA報道,在6月16日至6月20日于美國夏威夷舉行的半導體盛會“VLSI 2024”上,韓國半導體巨頭SK hynix(SK
SK海力士將在1c DRAM生產中采用新型Inpria MOR光刻膠
據 TheElec報道,SK Hynix 已決定在其第 6 帶(即 1c 工藝,約為 10nm)DRAM 生產過程中采用 Inpria 下一代金屬氧化物光刻膠(MOR),這是
三星、SK海力士對DRAM和NAND產量持保守態度
在DRAM和NAND芯片的生產上,三星和SK海力士兩大巨頭依然保持謹慎態度。盡管四月份8Gb DDR4 DRAM通用內存的合約價環比上漲,這
SK海力士考慮新建DRAM工廠
SK海力士,作為全球領先的內存芯片制造商,正在積極考慮建設一家新的DRAM工廠。這一決策源于其現有的龍仁芯片集群投產計劃的推遲,以及對今年內存芯片需求大幅增長的預測。
剛剛!SK海力士出局!
在基礎晶圓上通過硅通孔(TSV)連接多層DRAM,首批HBM3E產品均采用8層堆疊,容量為24GB。SK海力士和三星分別在去年8月和10月向英偉達發送了樣品。此前有消息稱,英偉達已經向SK
SK海力士:挑戰美國限制,推進中國半導體技術升級
無錫工廠是SK海力士的核心生產基地,其產量約占公司DRAM總產量的40%。目前,無錫工廠正在生產兩款較舊的10納米
發表于 01-16 10:45
?373次閱讀
傳三星/SK海力士已開始訂購DRAM機群工藝和HBM相關設備
數據顯示,首爾半導體操作 DRAM晶圓及HBM相關設備的定單數量有所上升。其中三星電子已開始擴大其HBM生產能力,并啟動大規模HBM設備采購;此外,三星和SK海力士計劃加強
評論