近日,純晶圓代工廠X-Fab與Soitec宣布將開展深度合作,共同推動碳化硅(SiC)功率器件的生產。此次合作將依托X-Fab位于德克薩斯州拉伯克的工廠,利用Soitec的SmartSiC技術生產碳化硅功率器件。
此次合作是在雙方評估階段成功完成之后進行的。在評估階段,X-Fab Texas在6英寸SmartSiC晶圓上成功制造了碳化硅功率器件,充分證明了雙方技術融合的可行性。
根據合作協議,Soitec將通過聯合供應鏈寄售模式,為X-Fab的客戶提供SmartSiC襯底的使用權。這一模式將確??蛻裟軌蝽樌@取所需的SmartSiC襯底,從而加速碳化硅功率器件的生產和應用。
此次合作將進一步推動碳化硅功率器件的市場應用,為電動汽車、智能電網等領域的發展提供有力支持。同時,這也展示了X-Fab和Soitec在半導體領域的強大實力和創新能力。
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。
舉報投訴
-
功率器件
+關注
關注
42文章
1832瀏覽量
91049 -
SiC
+關注
關注
30文章
2981瀏覽量
63413 -
碳化硅
+關注
關注
25文章
2902瀏覽量
49505
發布評論請先 登錄
相關推薦
碳化硅功率器件的特性和應用
隨著全球能源需求的快速增長和對可再生能源的重視,電力電子技術正經歷著前所未有的變革。在這一過程中,碳化硅(SiC)功率器件作為一種新興的寬禁帶半導體材料,憑借其優越的性能,正在逐步取代傳統硅(Si

碳化硅功率器件的散熱方法
碳化硅(SiC)作為一種寬禁帶半導體材料,因其耐高壓、耐高溫、高開關速度和高導熱率等優良特性,在新能源、光伏發電、軌道交通和智能電網等領域得到廣泛應用。然而,碳化硅功率器件在高密度和高
什么是MOSFET柵極氧化層?如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?
隨著電力電子技術的不斷進步,碳化硅MOSFET因其高效的開關特性和低導通損耗而備受青睞,成為高功率、高頻應用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分,柵極氧化層對
發表于 01-04 12:37
碳化硅功率器件有哪些應用領域
碳化硅功率器件作為下一代半導體技術的重要代表,以其優越的性能和廣闊的應用前景,成為能源革命中的重要推動力。本文將從市場資訊的角度,深入探討碳化硅功率
評論