色哟哟视频在线观看-色哟哟视频在线-色哟哟欧美15最新在线-色哟哟免费在线观看-国产l精品国产亚洲区在线观看-国产l精品国产亚洲区久久

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

MIT研究院用銦鎵砷化合物造出史上最小晶體管

454398 ? 來源:互聯(lián)網 ? 作者:秩名 ? 2012-12-11 11:14 ? 次閱讀

MIT的微系統(tǒng)實驗室(Microsystems Technology Laboratories)聲稱已經造出了史上最小的晶體管,用的卻是硅以外的材料。該晶體管由已經應用于光纖和雷達技術上的銦鎵砷化物(indium gallium arsenide,IGA)制造,厚度僅有22nm(約9股人類DNA)。因為這是在微處理器里使用的相同類型的晶體管,這意味著芯片可以更加密集、提供更高的性能。

圖片來源:MIT News

研究人員希望找到一個替代硅的材料,在更小的尺度上實現更高的速度和效率,以迫近摩爾定律所預測的進程。合作開發(fā)人員和麻省理工學院的教授Jesus del Alamo稱,這方面的發(fā)展“將確保摩爾定律達到硅片所不能達到的程度”(take Moore‘s Law beyond the reach of silicon)。

MIT News的報道稱,研究人員下一步將提高晶體管的電氣性能和整體速度。若小組成功達到了這個目標,他們將繼續(xù)朝著小于10nm的目標前進。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 晶體管
    +關注

    關注

    77

    文章

    9684

    瀏覽量

    138118
  • 銦鎵砷
    +關注

    關注

    1

    文章

    1

    瀏覽量

    5835
收藏 人收藏

    評論

    相關推薦

    銻化晶體在半導體技術中的應用

    銻化是一種化合物晶體,化學式為GaSb。它由(Ga)和銻(Sb)兩種元素組成。在半導體材料的研究與應用領域中,銻化
    的頭像 發(fā)表于 11-27 16:34 ?354次閱讀
    銻化<b class='flag-5'>鎵</b><b class='flag-5'>晶體</b>在半導體技術中的應用

    NMOS晶體管和PMOS晶體管的區(qū)別

    NMOS晶體管和PMOS晶體管是兩種常見的金屬氧化半導體場效應晶體管(MOSFET)類型,它們在多個方面存在顯著的差異。以下將從結構、工作原理、性能特點、應用場景等方面詳細闡述NMO
    的頭像 發(fā)表于 09-13 14:10 ?3195次閱讀

    晶體管的主要材料有哪些

    晶體管的主要材料是半導體材料,這些材料在導電性能上介于導體和絕緣體之間,具有獨特的電子結構和性質,使得晶體管能夠實現對電流的有效控制。以下將詳細探討晶體管的主要材料,包括硅(Si)、鍺(Ge)、氮化
    的頭像 發(fā)表于 08-15 11:32 ?1382次閱讀

    GaN晶體管的應用場景有哪些

    GaN(氮化晶體管,特別是GaN HEMT(高電子遷移率晶體管),近年來在多個領域展現出廣泛的應用場景。其出色的高頻性能、高功率密度、高溫穩(wěn)定性以及低導通電阻等特性,使得GaN晶體管
    的頭像 發(fā)表于 08-15 11:27 ?908次閱讀

    GaN晶體管和SiC晶體管有什么不同

    GaN(氮化晶體管和SiC(碳化硅)晶體管作為兩種先進的功率半導體器件,在電力電子、高頻通信及高溫高壓應用等領域展現出了顯著的優(yōu)勢。然而,它們在材料特性、性能表現、應用場景以及制造工藝等方面存在諸多不同。以下是對這兩種
    的頭像 發(fā)表于 08-15 11:16 ?850次閱讀

    GaN晶體管的基本結構和性能優(yōu)勢

    GaN(氮化晶體管,特別是GaN HEMT(高電子遷移率晶體管),是近年來在電力電子和高頻通信領域受到廣泛關注的一種新型功率器件。其結構復雜而精細,融合了多種材料和工藝,以實現高效、高頻率和高功率密度的性能。
    的頭像 發(fā)表于 08-15 11:01 ?1070次閱讀

    LOG114開發(fā)板能否直接接探測器?

    請問LOG114開發(fā)板能否直接接探測器,然后測試LOG114的輸出。 我想把LOG114的輸出直接接到ADC的采集板,ADC是14bits的,1K的采樣頻率,請問采樣的AD值
    發(fā)表于 08-05 07:42

    長沙北斗研究院總部基地正式奠基

    長沙北斗研究院總部基地正式奠基 日前長沙北斗研究院總部基地正式奠基,項目由長沙北斗研究院牽頭建設;項目又名“北斗足跡”。項目一期預計2025年年底前建成投。 據悉,長沙北斗
    的頭像 發(fā)表于 05-16 12:49 ?1195次閱讀

    河南澠池縣碳化硅半導體材料及襯底固廢綜合利用項目

    5月9日,河南澠池縣舉行了化合物半導體碳化硅材料與固廢綜合利用襯底項目的簽約儀式。在儀式上,化合物半導體材料團隊執(zhí)行總監(jiān)李有群對該項目做了詳細介紹。
    的頭像 發(fā)表于 05-10 16:54 ?1263次閱讀

    晶體管級異質集成技術及其實用案例分析

    化合物半導體微波器件的典型特點是不同結型器件性能差異明顯,表1給出了幾種常用的化合物半導體微波器件與Si CMOS性能對比,另外化合物半導體還擁有GaAs PIN二極、GaAs超突變
    的頭像 發(fā)表于 04-24 10:42 ?1095次閱讀
    <b class='flag-5'>晶體管</b>級異質集成技術及其實用案例分析

    晶體管Ⅴbe擴散現象是什么?

    晶體管并聯(lián)時,當需要非常大的電流時,可以將幾個晶體管并聯(lián)使用。因為存在VBE擴散現象,有必要在每一個晶體管的發(fā)射極上串聯(lián)一個小電阻。電阻R用以保證流過每個晶體管的電流近似相同。電阻值R
    發(fā)表于 01-26 23:07

    用于混合應用的絲基晶體管將絲作為絕緣體 賦予晶體管新的傳感能力

    來源:半導體芯科技編譯 蠶絲編織成的晶體管可以制造出高靈敏度的超快傳感器,這些新發(fā)現可能為這種混合器件的許多其他應用打開大門。 晶體管通常由礦物和金屬等無機材料制成。然而,在晶體管中加
    的頭像 發(fā)表于 01-22 19:47 ?264次閱讀

    CGHV96050F1衛(wèi)星通信氮化高電子遷移率晶體管CREE

    CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產品相比,這些GaN內部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或
    發(fā)表于 01-19 09:27

    氮化是什么晶體,是離子晶體還是原子晶體

    氮化是一種化合物,化學式為GaN,由(Ga)和氮(N)兩種元素組成。它是一種化合物晶體,由原子晶體
    的頭像 發(fā)表于 01-10 10:23 ?6081次閱讀

    氮化是什么化合物類型

    氮化是一種無機化合物,化學式為GaN,它由和氮元素組成。氮化具有許多重要的物理和化學性質,使其在科學研究和工業(yè)應用領域中具有廣泛的應用
    的頭像 發(fā)表于 01-10 10:05 ?1561次閱讀
    主站蜘蛛池模板: 麻豆国产精品AV色拍综合| 九九热精品在线观看| 欧美丝袜女同| 厕所xxxxx| 午夜宅宅伦电影网中文字幕| 沟沟人体一区二区| 小妇人电影免费完整观看2021| 国产伦精品一区二区免费| 亚洲妈妈精品一区二区三区| 精品高潮呻吟99AV无码视频| 一本道dvd久久综合高清免费| 精子射到丝袜上图| japanese幼儿videos| 色偷偷网站| 老妇xxxxbbbb| 国产a级黄色毛片| 亚洲一卡二卡三卡四卡2021麻豆| 蓝男色gay| 动漫美女人物被黄漫在线看| 偷窥欧美wc经典tv| 麻豆高潮AV久久久久久久| 啊灬啊灬啊灬快高潮视频| 无人区在线日本高清免费| 久久香蕉国产线看观看| 高h全肉图| 97无码欧美熟妇人妻蜜| 无码精品AV久久久奶水| 美女视频黄a视频全免费网站色窝| 国产99九九久久无码熟妇| 一二三四在线视频社区8| 熟女久久久久久久久久久| 免费欧美大片| 精品国产乱码久久久久久软件 | 纯肉小黄文高H| 中文无码在线观| 胸大美女又黄的网站| 青青草偷拍国产亚洲欧洲| 久久免费视频在线观看6| 国产人A片777777久久| 处破女免费播放| 99精品视频在线观看|