Part 01

前言

繼電器的驅動方式有很多種，比如用三極管驅動，2003芯片驅動等，其中用三極管驅動繼電器是比較有性價比的一種電路驅動方式，應用比較廣泛，電路核心的工作原理是讓三極管工作在飽和區/截止區，讓三極管像一個開關一樣工作來控制繼電器的工作狀態，今天就來介紹一下涉及到的所有器件的選型計算。

Part 02

計算選型

我們以下面的原理圖為例來進行選型說明：

Vin電壓一般來自于MCU IO口，比如5V的單片機，當IO口輸出0V時，三極管截止，繼電器停止工作，當IO口輸出5V時，三極管導通，繼電器工作。

1.RB基極電阻選型 RB電阻的作用是為了限流，何謂限流？一是因為MCU IO口的輸出電流能力有限，所以我們通過串聯RB電阻避免MCUIO口的輸出電流超過其最大輸出電流限值。二是因為三極管要想工作在飽和區，需要滿足β*IB>IC，所以串聯RB電阻還是為了設置三極管的IB電流，以便三極管能工作在飽和區。知道了RB電阻的作用，計算就好說了：

IC_max/β_minβ_min為三極管的最小放大倍數，I_IO_MAX為MCUIO口的最大輸出電流限制，這兩個數值我們可以在三極管規格書，MCU規格書中找到）

知道了β_min，I_IO_MAX還不夠，還需要知道最大集電極電流IC_max：

IC_max=(Vcc-Vces)/R_relay (Vcc是電源電壓，Vces是三極管飽和CE電壓降，可以在三極管規格書中找到，R_relay是繼電器線圈等效電阻可以在繼電器規格書中找到）

這樣我們就能計算出RB電阻了。

2.R基極-發射極電阻選型 電阻R的作用我們在之前的文章已經講過了，這里不再多說，感興趣可以翻看，電阻R的阻值大點影響不大，但是阻值太小就會有影響，怎么影響的呢？我們知道三極管導通的前提是Vbe的加載電壓需要大于基極-發射極開啟電壓（硅三極管典型值：0.7V），所以： 5V*R/(R+RB)>Vbe_on (Vbe_on是三極管基極-發射極最小開啟電壓，可以在三極管規格書中找到)

3.三極管選型 三極管選型主要考慮個因素，一個是電流，一個是電壓，所謂電流就是三極管的最大集電極-發射極通流能力應大于實際加載的集電極-發射極電流，所謂電壓就是三極管的最大集電極-發射極耐壓應大于電源電壓Vcc。這些參數都能在三極管規格書中找到。

4.二極管選型

流經繼電器線圈的電流會產生磁場，當電流關閉時，磁場會突然消失。磁場的突然消失會在線圈上感應出短暫的高電壓，這很可能會損壞三極管和 IC。所以保護二極管可以鉗位感應電壓，這可以防止感應電壓變得足夠高而損壞三極管和IC。

所以在選二極管時主要關注二極管的反向耐壓要大于電源電壓Vcc，二極管的正向電流要大于最大集電極電流IC_max。