應該有可以回答的上來的,但是大部分應該是回答不上來。標題的回答也不對。
計算機內存里面分這么幾種數據
存在SRAM里面,嗯?內存?對也不對,大家覺得內存條應該很快了吧?不,不快。
我的電腦里面有三種cache,可以看到L1最小,L3最快
大小
量相差很大
這是我自己電腦的實測,最慢的反而是內存,算完是58.49G/s,L1居然到了2K G這個速度,L3是內存的大概3倍多??磿r間L1和內存的時間是100倍。
就先記住:FLASH用來存儲程序的,SRAM是用來存儲運行程序中的中間變量。
然后SRAM有個別的名字叫緩存,這聽懂了吧?
SRAM是靜態隨機存取存儲器。它是一種具有靜止存取功能的內存,不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。
RAM掉電數據會丟失,RW-data是非0初始化的數據,已初始化的數據需要被存儲在掉電不會丟失的FLASH中,上電后會從FLASH搬移到RAM中。
SRAM是訪問時間短的片上存儲器,DRAM是訪問時間長的片外存儲器。因此SRAM 比DRAM 快。
DRAM 的存儲容量更大,而SRAM 的尺寸更小。SRAM很貴,而DRAM 很便宜。
DRAM簡單,電容充電就是有1了
讀取的時候還得一個放大器讀?。?/p>
電容這玩意兒漏電啊,要不停的刷新,不然一會兒就沒電荷了
SRAM,是兩個與門一個RS觸發器,1bit的儲存確實很復雜
要保證上下輸入不一致,還得加一個二極管取反,這東西就是鎖存器了
可以看到應該是有兩塊SDRAM
大概是這樣的
LPDDR4是新一代面向移動設備的低功耗內存,它屬于SDRAM家族的存儲器產品。
SDRAM是同步動態隨機存取存儲器的縮寫,而SRAM是同步隨機存取存儲器的縮寫。它們的最大區別在于,SDRAM必須被外部時鐘同步刷新,而SRAM則不需要刷新。 雖然SRAM速度更快,讀寫時間也更短,但SRAM的成本較高,所以在存儲器容量較小的情況下,通常使用SRAM,而對于大容量存儲器,則使用SDRAM。 同步(Synchronous )是指內存工作需要同步時鐘,內部的命令的發送與數據的傳輸都以它為基準 動態(Dynamic )是指存儲陣列 需要不斷的刷新來保證數據不丟失 隨機(Random )是指數據不是線性依次存儲,而是自由指定地址進行 數據讀寫SDRAM具有空間存儲量大、讀寫速度快、價格相對便宜等優點。 然而由于SDRAM內部利用電容來存儲數據,為保證數據不丟失,需要持續對各存儲電容進行刷新操作;同時在讀寫過程中 需要考慮行列管理、各種操作延時等,由此導致了其控制邏輯復雜的特點。 SDRAM 內部可以理解為一個存儲陣列,表格中的每一個單元格可以類比為存儲陣列的單個存儲單元。若想要實現存儲陣列中的某一存儲單元的數據讀寫操作,我們要通過行地址(Row Address)和列地址 (Column Address)(先行后列)精確定位到這一存儲單元,進而進行數據的讀寫操作,這就是所謂的隨機地址存取.
就是這樣
我找了一個FSMS接口的圖看看
這里翻出ESP32的手冊看看
片內SRAM:大?。?12 KB 關系:片內SRAM = IRAM (192KB ) + DRAM( 328KB )IRAM :作用:存儲關鍵代碼。 1.中斷處理程序。注冊中斷處理程序時使用了 ESP_INTR_FLAG_IRAM,則中斷處理程序必須要放入 IRAM。 2.可將一些時序關鍵代碼放入 IRAM,以減少從 flash 中加載代碼造成的相關損失。 3.以上兩點為鏈接器自主操作,官方也提供接口,可以通過程序來聲明函數,可以將 IRAM_ATTR 宏用作屬性,直接將程序存儲在這部分空間。 函數中的字符串或常量可能沒有自動放入 RAM 中,這時可以使用 DRAM_ATTR 屬性進行標記,或者也可以使用鏈接器腳本方法將它們自動放入 RAM 中。
void IRAM_ATTR gpio_isr_handler(void* arg) { const static DRAM_ATTR uint8_t INDEX_DATA[] = { 45, 33, 12, 0 }; const static char *MSG = DRAM_STR("I am a string stored in RAM"); }DRAM:作用兩個: 非常量靜態數據(.data 段)和零初始化數據(.bss 段)由鏈接器放入內部 SRAM 作為數據存儲。 這部分空間的使用是由鏈接器在對項目代碼編譯鏈接時,根據程序內容自動使用??臻g大小隨程序內部使用情況擴張。 官方也提供接口,可以通過程序聲明變量,直接使用這部分空間??梢詫?__NOINIT_ATTR 宏用作屬性,從而將數據放入 .noinit 部分。放入該部分的值在啟動時不會被初始化,在軟件重啟后也會保持值不變。
最后我還測試了一下這個GPU
審核編輯:彭菁
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原文標題:C語言指針的值在哪里?在SRAM
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