近日，據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道，三星在其1b nm（即12nm級(jí)）DRAM內(nèi)存生產(chǎn)過(guò)程中遇到了良率不足的挑戰(zhàn)。目前，該制程的良率仍低于業(yè)界一般目標(biāo)的80%~90%，僅達(dá)到五成左右。為了應(yīng)對(duì)這一局面，三星已在上月成立了專(zhuān)門(mén)的工作組，致力于迅速提升良率。

值得一提的是，三星的12nm級(jí)制程在DRAM內(nèi)存領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢(shì)。特別是32Gb的顆粒容量，使得三星能夠在不使用TSV（Through Silicon Via）工藝的情況下，生產(chǎn)出高達(dá)128GB容量的高密度DDR5 RDIMM內(nèi)存條。相較于采用TSV技術(shù)的3DS DIMM內(nèi)存，這種常規(guī)內(nèi)存條在功耗上減少了10%，同時(shí)制造成本也顯著降低。

因此，三星對(duì)12nm級(jí)制程的32Gb DDR5內(nèi)存顆粒寄予厚望，視其為未來(lái)的主力產(chǎn)品。為了確保這一戰(zhàn)略的實(shí)現(xiàn)，三星不僅成立了專(zhuān)門(mén)工作組，還決定積極擴(kuò)大12nm級(jí)DRAM的產(chǎn)量。據(jù)悉，未來(lái)華城15和平澤P2晶圓廠將成為這一產(chǎn)品的主要生產(chǎn)基地。

目前，平澤P2晶圓廠主要生產(chǎn)1z nm內(nèi)存，但三星計(jì)劃對(duì)該廠進(jìn)行工藝升級(jí)，以適應(yīng)12nm級(jí)DRAM的生產(chǎn)需求。隨著三星對(duì)良率提升和產(chǎn)量擴(kuò)大的不斷努力，我們有理由期待其在未來(lái)DDR5內(nèi)存市場(chǎng)上取得更大的成功。