當(dāng)關(guān)于振蕩器的討論出現(xiàn)時(shí),同樣的問題也會(huì)出現(xiàn)。在您對(duì)性能的選擇是什么呢
關(guān)鍵應(yīng)用,MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))或石英基振蕩器?基于mems的振蕩器自2005年開始在市場上上市。在過去的15年里,一些公司開發(fā)了MEMS-基于振蕩器。今天,只有少數(shù)留下來,領(lǐng)先的mems振蕩器制造商占到約占整個(gè)時(shí)市場的1%。
當(dāng)為您的電子設(shè)備或通信設(shè)備選擇振蕩器時(shí),會(huì)有一些定時(shí)您需要考慮的考慮因素是:系統(tǒng)性能、系統(tǒng)時(shí)鐘、信號(hào)質(zhì)量和參考信號(hào)源。這些參數(shù)將是決定產(chǎn)品性能水平的關(guān)鍵參數(shù)。
你可能看過另一個(gè)來自MEMS制造商的視頻,比較MEMS振蕩器和獨(dú)立的石英晶體。事實(shí)證明,任何振蕩器,無論是石英、鋸子、陶瓷或MEMS,都將始終優(yōu)于任何獨(dú)立的諧振器。因此,將振蕩器與晶體進(jìn)行比較并不是對(duì)振蕩器性能的真正測(cè)試。在這個(gè)并排的比較中,我們將觀察并直接比較石英基振蕩器和MEMS振蕩器。
1)基于石英的振蕩器。
基于2)MEMS的振蕩器。
結(jié)構(gòu)和特點(diǎn):
一個(gè)晶體振蕩器使用了一個(gè)石英晶體參考線和一個(gè)簡單的振蕩器電路。
一個(gè)MEMS振蕩器使用一個(gè)硅諧振器作為振蕩源,并需要一個(gè)PLL電路來校正制造公差和溫度系數(shù)的頻率。
正如這些基本結(jié)構(gòu)所表明的,晶體振蕩器是簡單制造的高質(zhì)量時(shí)鐘。相比之下,MEMS振蕩器具有復(fù)雜的結(jié)構(gòu),由MEMS諧振器、分?jǐn)?shù)n PLL和溫度組成補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)。它們還需要制造校準(zhǔn)才能正確操作。這些振蕩器的基本結(jié)構(gòu)如圖1所示。
EPSON公司測(cè)試和測(cè)量了石英振蕩器和mems振蕩器,并比較了六個(gè)參數(shù),這些參數(shù)對(duì)通信、網(wǎng)絡(luò)、工業(yè)和消費(fèi)電子設(shè)備的設(shè)計(jì)至關(guān)重要。EPSON公司還提供了匯編數(shù)據(jù)的摘要:
1)功耗:消耗了多少電流?
2)振蕩器啟動(dòng):通電后振蕩器啟動(dòng)的速度。
3)抖動(dòng)和相位噪聲:噪聲性能是什么(通信設(shè)備中的一個(gè)關(guān)鍵因素)?
4)頻率vs。溫度特性:頻率相對(duì)于溫度的變化有多穩(wěn)定?
5)頻率穩(wěn)定性:在25°C下測(cè)量的頻率有多穩(wěn)定?
6)振動(dòng)靈敏度:在不利條件下的性能
7)可靠性:平均故障間隔時(shí)間。也稱為(MTBF)
8)總結(jié):整體績效評(píng)估。
1)功耗
基于石英的振蕩器具有更低的功耗,因?yàn)樗鼈兙哂幸粋€(gè)基頻振蕩或諧波振蕩和一個(gè)簡單的電路結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)。
相比之下,基于mems的振蕩器消耗更多的功率,因?yàn)樗鼈冇懈嗟碾娐贰LL和LCVCO提高了總功耗。因此,MEMS振蕩器需要6.09 mA,標(biāo)準(zhǔn)石英振蕩器需要大約3.16 mA,這是MEMS需要的兩倍電流,只能實(shí)現(xiàn)類似的抖動(dòng)和對(duì)石英振蕩器的相位噪聲水平。
圖2:40MHz的MEMS和石英振蕩器的功耗測(cè)量值。
2)振蕩器的啟動(dòng)特性
比較振蕩器通電時(shí)的穩(wěn)定性,石英振蕩器幾乎在1 ppm時(shí)就達(dá)到了通電的精度。而MEMS振蕩器則在努力達(dá)到2 ppm的精度。啟動(dòng)后,石英振蕩器是穩(wěn)定的,但正如你所看到的,MEMS振蕩器表現(xiàn)出頻率震顫。下面如圖3所示。
如今,快速創(chuàng)業(yè)比以往任何時(shí)候都更重要。無論是消費(fèi)產(chǎn)品還是自動(dòng)化產(chǎn)品
應(yīng)用程序,今天的電子產(chǎn)品需要關(guān)閉和打開,以增加電池壽命或使系統(tǒng)在線。時(shí)鐘要在需要時(shí)啟動(dòng)穩(wěn)定運(yùn)行。使用一個(gè)啟動(dòng)和穩(wěn)定速度更快的振蕩器,如石英振蕩器來自EPSON公司,允許更短的喚醒周期和更長的電池壽命。
圖3:振蕩器啟動(dòng)特性40 MHz
3)抖動(dòng)和相位噪聲
A)噴射器
我們選擇了現(xiàn)成的、價(jià)格比較合理的振蕩器。一個(gè)有基于mems的諧振器,一個(gè)是石英基于諧振器。當(dāng)測(cè)量MEMS振蕩器從12 kHz到20 MHz的抖動(dòng)時(shí),我們得到了1.5 pS的rms的抖動(dòng)。當(dāng)測(cè)試石英晶體振蕩器在12 kHz到20 MHz之間時(shí),我們實(shí)現(xiàn)一個(gè)0.18 pS的均方根抖動(dòng)。這幾乎是MEMS振蕩器的8倍。選擇EPSON部分進(jìn)行比較,因?yàn)樗且粋€(gè)“標(biāo)準(zhǔn)振蕩器”,用于許多應(yīng)用,并在大批量生產(chǎn)。見下圖4。
B)相位噪聲
實(shí)驗(yàn)室測(cè)量還表明,石英振蕩器比MEMS振蕩器有更好的相位噪聲。
MEMS振蕩器具有較高的相位噪聲,因?yàn)楣柚C振器的“Q”或質(zhì)量因較差。在10 Hz時(shí),石英振蕩器比MEMS振蕩器有36 dB的相位噪聲。低偏移量下的相位噪聲對(duì)無線通信至關(guān)重要,并可能會(huì)導(dǎo)致光通信中的一些錯(cuò)誤。
MEMS振蕩器對(duì)于高偏移量(12 kHz到20 MHz)也有更高的相位噪聲,因?yàn)樗鼈冊(cè)赑LL電路中使用了一個(gè)低q的LC振蕩器。
圖4:石英的相位噪聲性能與。微電子機(jī)械系統(tǒng)
MEMS振蕩器有由分?jǐn)?shù)-n分頻器引起的熱刺。這些熱刺發(fā)生在帶內(nèi),并引起確定性的抖動(dòng)(DJ),可降低系統(tǒng)誤碼性能。刺激誘導(dǎo)的DJ必須被視為抖動(dòng)的一部分,所有類型的電路的預(yù)算:有線、光學(xué)和無線。使用基本晶體的石英振蕩器沒有這樣的馬刺。
圖5:比較振蕩器的抖動(dòng)和相位噪聲。
4)頻率穩(wěn)定性
每個(gè)振蕩器的頻率穩(wěn)定性的測(cè)量值如下圖6所示。這些結(jié)果是在3.3 V和25°C下測(cè)量50秒。MEMS的頻率跳躍在±600 ppb左右,遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過大多數(shù)無線標(biāo)準(zhǔn)。石英基振蕩器的運(yùn)動(dòng)能力很小,而且更穩(wěn)定。
圖6:石英振蕩器和MEMS振蕩器穩(wěn)定性圖
5)頻率過溫特性
當(dāng)比較頻率和頻率時(shí)。石英和MEMS的溫度穩(wěn)定性。你可以看到,石英基的振蕩器遵循AT晶體的連續(xù)立方曲線,從-40°C~+85°C達(dá)到±25 ppm,這對(duì)于大多數(shù)應(yīng)用來說是足夠好的了。
從MEMS圖來看,它似乎有更好的頻率和溫度特征,但如果你仔細(xì)看,你可以看到圖顯示了當(dāng)調(diào)整PLL除法比以補(bǔ)償溫度變化時(shí)引起的頻率跳躍。這導(dǎo)致了顯著的頻率跳躍,以補(bǔ)償相當(dāng)大的MEMS諧振器的頻率漂移(30ppm/°C或3750ppm-40°C~+85°C)石英在溫度上比MEMS更穩(wěn)定,并提供較高的“Q”性能。石英基
振蕩器不需要采用溫度補(bǔ)償來保持低至±10 ppm的穩(wěn)定性所需溫度范圍。如果需要更好的穩(wěn)定性,您可以向石英中添加溫度補(bǔ)償振蕩器的穩(wěn)定性低至0.5 ppm。
圖7:頻率vs。溫度40 MHz
MEMS技術(shù)也聲稱比石英技術(shù)有其他改進(jìn),但當(dāng)你仔細(xì)看這些領(lǐng)域你發(fā)現(xiàn)你放棄比你得到的更多。在這個(gè)世界上,沒有什么是自由的。
6)振動(dòng)靈敏度
MEMS聲稱在振動(dòng)靈敏度方面的性能有所提高。如果我們看一下這些數(shù)據(jù),這一點(diǎn)很快就會(huì)被揭穿。典型的
測(cè)量范圍從小于一個(gè)水平到2 kHz。振動(dòng)密度水平大大降低2 kHz以上。我們測(cè)量了在12 kHz到20 MHz范圍內(nèi)的相位抖動(dòng)積分。這個(gè)范圍明顯更高超過了任何客戶都會(huì)指定的最大振動(dòng)水平。隨著石英幾何結(jié)構(gòu)的改進(jìn),更高的頻率空白,和更好的制造工藝,石英制造商已經(jīng)大大提高了對(duì)MEMS的振動(dòng)靈敏度。
振動(dòng)靈敏度測(cè)量單位為每g振動(dòng)的10億分之一(ppb/g)
A) MEMS的振動(dòng)靈敏度范圍為0.01 ppb/g ~ 1 ppb/g。
B)石英振動(dòng)靈敏度范圍為0.1 ppb/g ~ 1 ppb/g
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