韓國新聞源NewDaily近日發布了一則報道,聲稱三星電子的HBM3e芯片已成功通過英偉達的產品測試,預示著即將開啟大規模生產并向英偉達供貨的序幕。然而,三星電子方面迅速對此消息進行了否認,表示并未收到官方確認。
回顧今年早些時候,英偉達CEO黃仁勛在3月份公開表示,公司正著手驗證三星提供的HBM內存芯片,這一舉措曾引發業界廣泛關注。此前,市場間流傳的三星HBM3E內存因散熱和功耗問題未獲英偉達測試通過的消息,也在5月被三星電子通過官方聲明明確否認,強調其正與全球多家合作伙伴順利推進HBM芯片的測試流程,并致力于保障產品的質量與可靠性。
據NewDaily最新報道,三星電子似乎已收到英偉達發出的HBM3e質量測試PRA(產品準備批準)通知,這一消息再度激起市場對三星在HBM存儲器領域進展的猜測。
歷經近十年的技術演進,HBM存儲器技術已邁入HBM3E時代,市場競爭格局也愈發激烈,美光(Micron)、SK海力士及三星成為該領域的三大主要玩家。據悉,這三家公司已分別在去年7月底、8月中旬及10月初向市場推出了8hi(24GB)的HBM3E樣品。
行業分析機構TrendForce指出,2023年SK海力士在HBM3產品領域表現突出,成為英偉達GPU的主要供應商,其制造技術在業內被認為領先于三星電子和美光等競爭對手。從市場份額來看,SK海力士在2022年全球HBM市場中占據主導地位,市占率高達50%,三星電子緊隨其后,占有40%的市場份額,而美光則占據剩余的10%。高盛亦預測,SK海力士在未來兩到三年內將能夠維持其超過50%的市場份額優勢。
盡管三星電子否認了HBM3E測試通過的具體消息,但相關傳聞仍對市場產生了一定波動。在消息傳出后,三星電子的股價于7月4日上漲3.6%,觸及自4月12日以來的新高;相反,SK海力士的股價則下跌4.7%,遭遇了自6月24日以來的最大單日跌幅,顯示出市場對于HBM存儲器領域競爭格局變化的敏感反應。
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