最近，市場傳言三星可能會在Exynos2500處理器內(nèi)部使用硅電容。硅電容使用了半導(dǎo)體的制造工藝，利用硅材質(zhì)制作而成。它跟普通電容類似，也是上下都是極板，中間是介電層，不同點(diǎn)是介電層使用的是硅材料。

（文/程文智）根據(jù)書本上的定義，兩個相互靠近的導(dǎo)體，中間夾一層不導(dǎo)電的絕緣介質(zhì)，就構(gòu)成了一個電容。當(dāng)兩個極板之間加上電壓時，電容就會儲存電荷。

按制造材料的不同可以分為，瓷介電容、滌綸電容、電解電容、鉭電容，聚丙烯電容等等。其實還有一種基于半導(dǎo)體制造工藝的硅電容。最近，市場傳言三星可能會在Exynos2500處理器內(nèi)部使用硅電容。值得注意的是，Exynos2500處理器有望裝備在三星明年的旗艦產(chǎn)品Galaxy S25系列當(dāng)中。據(jù)Bloter的最新報道顯示，三星正在努力開發(fā)這款芯片。

據(jù)稱，三星正在為Exynos2500開發(fā)硅電容，此類電容很可能會用于Galaxy S25、Galaxy S25 Plus，甚至是Galaxy S25 Ultra。其實，除了三星，村田很早之前就已經(jīng)開發(fā)出了硅電容產(chǎn)品。在2021年的Elexcon國際電子展上，小編就曾見村田展示了他們的硅電容產(chǎn)品。

據(jù)當(dāng)時村田展臺的工作人員介紹，村田的硅電容使用了半導(dǎo)體的制造工藝，利用硅材質(zhì)制作而成。它跟普通電容類似，也是上下都是極板，中間是介電層，不同點(diǎn)是介電層使用的是硅材料。

村田的高密度硅電容通過應(yīng)用半導(dǎo)體的MOS工藝，實現(xiàn)了三維化，大幅增加了電容的表面積，從而提高了基板單位面積的靜電容量。具體來說，使用的是干法蝕刻技術(shù)的BOSCH工藝。BOSCH工藝是硅加工特有的技術(shù)，它可以讓通過SF6氣體進(jìn)行蝕刻和通過C4F8形成保護(hù)膜高速重復(fù)，從而實現(xiàn)高縱橫比蝕刻。

另據(jù)村田官網(wǎng)介紹，在硅的單晶基板上形成的3D結(jié)構(gòu)上形成單個MIM和多個MIM結(jié)構(gòu)（MIM結(jié)構(gòu)是金屬/電介質(zhì)/金屬的多層結(jié)構(gòu)）。

與MLCC等其他電容相比，硅電容有哪些好處呢？

首先，因為使用的是硅材料，而硅的穩(wěn)定性能比較好，因此，硅電容也相應(yīng)具有出色的高頻特性和溫度特性、極低的偏置特性、很高的可靠性，以及低背化等特性。

還有一個優(yōu)勢是，硅電容可以做得更小更薄，標(biāo)準(zhǔn)化的硅電容可以做到100微米，定制化的可以做到40~50微米。

當(dāng)然，值得注意的是硅電容是沒有極性的。

在應(yīng)用場景方面，由于硅電容的高可靠性、高頻特性及可定制性，它可用于醫(yī)療、光通信、基站和車載市場。此次，三星則是計劃將硅電容應(yīng)用于智能手機(jī)領(lǐng)域，看來硅電容又多了一個應(yīng)用場景。

審核編輯 黃宇