全球領先的半導體存儲解決方案提供商美光科技（納斯達克股票代碼：MU）近日宣布成功推出其首款多路復用雙列直插式內存模塊（MRDIMM），這一創新產品旨在助力客戶應對日益復雜的工作負載挑戰，最大化計算基礎設施的效能與價值。專為那些需要單個DIMM插槽內存超過128GB的應用場景設計，美光MRDIMM在帶寬、容量、延遲及能效方面均展現出顯著優勢，尤其在加速內存密集型虛擬化多租戶環境、高性能計算（HPC）及人工智能（AI）數據中心工作負載方面，相較于當前主流的TSV RDIMM技術，實現了性能的飛躍。

美光副總裁兼計算產品事業群總經理Praveen Vaidyanathan表示：“美光MRDIMM作為我們最新的主存解決方案，不僅為下一代服務器平臺帶來了亟需的帶寬和容量提升，還顯著降低了延遲，專為擴展AI推理和高性能計算應用而生。在保持與RDIMM相同的可靠性、可用性、適用性和接口標準的同時，MRDIMM通過降低每項任務的能耗，為客戶提供了性能可擴展且靈活的解決方案。我們與業界的緊密合作確保了這款解決方案能夠無縫集成于現有服務器基礎設施，并順利過渡到未來的計算平臺。”

依托DDR5的物理和電氣標準，MRDIMM實現了內存技術的重大突破，不僅擴展了單核心的帶寬和容量，還為未來的計算系統奠定了堅實基礎，滿足數據中心日益增長的工作負載需求。相較于RDIMM，MRDIMM的優勢顯著，包括有效內存帶寬提升高達39%、總線效率提升超過15%，以及延遲降低至多40%。

在容量選擇上，MRDIMM提供了從32GB到256GB的廣泛選項，支持標準型和高型外形規格（TFF），完美適配高性能的1U和2U服務器。特別是其優化的散熱設計，使得在相同功耗和氣流條件下，DRAM溫度可降低多達20攝氏度，從而提升了數據中心的散熱效率，并優化了內存密集型工作負載的總系統能耗。值得一提的是，美光憑借先進的內存設計和制程技術，在256GB TFF MRDIMM上采用了32Gb DRAM芯片，實現了與采用16Gb芯片的128GB TFF MRDIMM相同的功耗水平，同時在最大數據傳輸速率下，性能較同容量的TSV RDIMM提升35%，為數據中心帶來了前所未有的總體擁有成本（TCO）優勢。

英特爾副總裁兼數據中心至強6產品管理總經理Matt Langman對此表示：“MRDIMM通過DDR5接口和技術，實現了與英特爾至強6處理器平臺的無縫兼容，為客戶提供了更高的靈活性和更多選擇。這一解決方案覆蓋了從32GB到256GB的多種容量規格，包括標準和高型外形，全面滿足高性能計算、AI及多種工作負載的需求，所有這些都在同一支持標準DIMM的英特爾至強6處理器平臺上實現。我們期待客戶能從美光豐富的MRDIMM產品組合中受益。”

聯想集團副總裁兼人工智能和高性能計算總經理Scott Tease也強調：“隨著處理器和GPU核心數的快速增長，內存帶寬的需求卻未能同步跟上，以維持系統性能的平衡。美光MRDIMM的推出，對于內存密集型任務如AI推理、再訓練及高性能計算工作負載而言，無疑將有效縮小這一帶寬差距。我們與美光的緊密合作，將共同為客戶提供更加平衡、高性能且可持續的技術解決方案?！?/p>

目前，美光MRDIMM已正式上市，并計劃于2024年下半年實現批量出貨。未來幾代MRDIMM產品將繼續引領行業趨勢，提供比同代RDIMM高出45%的單通道內存帶寬，持續推動數據中心和計算性能的新飛躍。