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共讀好書

CPU是現代計算機的核心部件，又稱為“微處理器”。對于PC而言，CPU的規格與頻率常常被用來作為衡量一臺電腦性能強弱重要指標。Intelx86架構已經經歷了二十多個年頭，而x86架構的CPU對我們大多數人的工作、生活影響頗為深遠。

許多對電腦知識略知一二的朋友大多會知道CPU里面最重要的東西就是晶體管了，提高CPU的速度，最重要的一點說白了就是如何在相同的CPU面積里面放進去更加多的晶體管，由于CPU實在太小，太精密，里面組成了數目相當多的晶體管，所以人手是絕對不可能完成的，只能夠通過光刻工藝來進行加工的。

這就是為什么一塊CPU里面為什么可以數量如此之多的晶體管。晶體管其實就是一個雙位的開關：即開和關。

如果您回憶起基本計算的時代，那就是一臺計算機需要進行工作的全部。兩種選擇，開和關，對于機器來說即0和1。那么您將如何制作一個CPU呢？在今天的文章中，我們將一步一步的為您講述中央處理器從一堆沙子到一個功能強大的集成電路芯片的全過程。

制造CPU的基本原料

如果問及CPU的原料是什么，大家都會輕而易舉的給出答——硅。這是不假，但硅又來自哪里呢？其實就是那些最不起眼的沙子。難以想象吧，價格昂貴，結構復雜，功能強大，充滿著神秘感的CPU竟然來自那根本一文不值的沙子。當然這中間必然要經歷一個復雜的制造過程才行。不過不是隨便抓一把沙子就可以做原料的，一定要精挑細選，從中提取出最最純凈的硅原料才行。試想一下，如果用那最最廉價而又儲量充足的原料做成CPU，那么成品的質量會怎樣，你還能用上像現在這樣高性能的處理器嗎？

除去硅之外，制造CPU還需要一種重要的材料就是金屬。目前為止，鋁已經成為制作處理器內部配件的主要金屬材料，而銅則逐漸被淘汰，這是有一些原因的，在目前的CPU工作電壓下，鋁的電遷移特性要明顯好于銅。所謂電遷移問題，就是指當大量電子流過一段導體時，導體物質原子受電子撞擊而離開原有位置，留下空位，空位過多則會導致導體連線斷開，而離開原位的原子停留在其它位置，會造成其它地方的短路從而影響芯片的邏輯功能，進而導致芯片無法使用。

除了這兩樣主要的材料之外，在芯片的設計過程中還需要一些種類的化學原料，它們起著不同的作用，這里不再贅述。

CPU制造的準備階段

在必備原材料的采集工作完畢之后，這些原材料中的一部分需要進行一些預處理工作。而作為最主要的原料，硅的處理工作至關重要。首先，硅原料要進行化學提純，這一步驟使其達到可供半導體工業使用的原料級別。而為了使這些硅原料能夠滿足集成電路制造的加工需要，還必須將其整形，這一步是通過溶化硅原料，然后將液態硅注入大型高溫石英容器而完成的。

而后，將原料進行高溫溶化。中學化學課上我們學到過，許多固體內部原子是晶體結構，硅也是如此。為了達到高性能處理器的要求，整塊硅原料必須高度純凈，及單晶硅。然后從高溫容器中采用旋轉拉伸的方式將硅原料取出，此時一個圓柱體的硅錠就產生了。從目前所使用的工藝來看，硅錠圓形橫截面的直徑為200毫米。

不過現在intel和其它一些公司已經開始使用300毫米直徑的硅錠了。在保留硅錠的各種特性不變的情況下增加橫截面的面積是具有相當的難度的，不過只要企業肯投入大批資金來研究，還是可以實現的。intel為研制和生產300毫米硅錠而建立的工廠耗費了大約35億美元，新技術的成功使得intel可以制造復雜程度更高，功能更強大的集成電路芯片。而200毫米硅錠的工廠也耗費了15億美元。

在制成硅錠并確保其是一個絕對的圓柱體之后，下一個步驟就是將這個圓柱體硅錠切片，切片越薄，用料越省，自然可以生產的處理器芯片就更多。切片還要鏡面精加工的處理來確保表面絕對光滑，之后檢查是否有扭曲或其它問題。這一步的質量檢驗尤為重要，它直接決定了成品CPU的質量。

新的切片中要摻入一些物質而使之成為真正的半導體材料，而后在其上刻劃代表著各種邏輯功能的晶體管電路。摻入的物質原子進入硅原子之間的空隙，彼此之間發生原子力的作用，從而使得硅原料具有半導體的特性。今天的半導體制造多選擇CMOS工藝（互補型金屬氧化物半導體）。

其中互補一詞表示半導體中N型MOS管和P型MOS管之間的交互作用。而N和P在電子工藝中分別代表負極和正極。多數情況下，切片被摻入化學物質而形成P型襯底，在其上刻劃的邏輯電路要遵循nMOS電路的特性來設計，這種類型的晶體管空間利用率更高也更加節能。同時在多數情況下，必須盡量限制pMOS型晶體管的出現，因為在制造過程的后期，需要將N型材料植入P型襯底當中，而這一過程會導致pMOS管的形成。

在摻入化學物質的工作完成之后，標準的切片就完成了。然后將每一個切片放入高溫爐中加熱，通過控制加溫時間而使得切片表面生成一層二氧化硅膜。通過密切監測溫度，空氣成分和加溫時間，該二氧化硅層的厚度是可以控制的。在intel的90納米制造工藝中，門氧化物的寬度小到了驚人的5個原子厚度。這一層門電路也是晶體管門電路的一部分，晶體管門電路的作用是控制其間電子的流動，通過對門電壓的控制，電子的流動被嚴格控制，而不論輸入輸出端口電壓的大小。

準備工作的最后一道工序是在二氧化硅層上覆蓋一個感光層。這一層物質用于同一層中的其它控制應用。這層物質在干燥時具有很好的感光效果，而且在光刻蝕過程結束之后，能夠通過化學方法將其溶解并除去。

光刻蝕

這是目前的CPU制造過程當中工藝非常復雜的一個步驟，為什么這么說呢？光刻蝕過程就是使用一定波長的光在感光層中刻出相應的刻痕，由此改變該處材料的化學特性。這項技術對于所用光的波長要求極為嚴格，需要使用短波長的紫外線和大曲率的透鏡?？涛g過程還會受到晶圓上的污點的影響。每一步刻蝕都是一個復雜而精細的過程。

設計每一步過程的所需要的數據量都可以用10GB的單位來計量，而且制造每塊處理器所需要的刻蝕步驟都超過20步（每一步進行一層刻蝕）。而且每一層刻蝕的圖紙如果放大許多倍的話，可以和整個紐約市外加郊區范圍的地圖相比，甚至還要復雜，試想一下，把整個紐約地圖縮小到實際面積大小只有100個平方毫米的芯片上，那么這個芯片的結構有多么復雜，可想而知了吧。

當這些刻蝕工作全部完成之后，晶圓被翻轉過來。短波長光線透過石英模板上鏤空的刻痕照射到晶圓的感光層上，然后撤掉光線和模板。通過化學方法除去暴露在外邊的感光層物質，而二氧化硅馬上在陋空位置的下方生成。

摻雜

在殘留的感光層物質被去除之后，剩下的就是充滿的溝壑的二氧化硅層以及暴露出來的在該層下方的硅層。這一步之后，另一個二氧化硅層制作完成。然后，加入另一個帶有感光層的多晶硅層。多晶硅是門電路的另一種類型。由于此處使用到了金屬原料（因此稱作金屬氧化物半導體），多晶硅允許在晶體管隊列端口電壓起作用之前建立門電路。感光層同時還要被短波長光線透過掩模刻蝕。再經過一部刻蝕，所需的全部門電路就已經基本成型了。然后，要對暴露在外的硅層通過化學方式進行離子轟擊，此處的目的是生成N溝道或P溝道。這個摻雜過程創建了全部的晶體管及彼此間的電路連接，沒個晶體管都有輸入端和輸出端，兩端之間被稱作端口。

重復這一過程

從這一步起，你將持續添加層級，加入一個二氧化硅層，然后光刻一次。重復這些步驟，然后就出現了一個多層立體架構，這就是你目前使用的處理器的萌芽狀態了。在每層之間采用金屬涂膜的技術進行層間的導電連接。今天的P4處理器采用了7層金屬連接，而Athlon64使用了9層，所使用的層數取決于最初的版圖設計，并不直接代表著最終產品的性能差異。

測試封裝測試過程

接下來的幾個星期就需要對晶圓進行一關接一關的測試，包括檢測晶圓的電學特性，看是否有邏輯錯誤，如果有，是在哪一層出現的等等。而后，晶圓上每一個出現問題的芯片單元將被單獨測試來確定該芯片有否特殊加工需要。

而后，整片的晶圓被切割成一個個獨立的處理器芯片單元。在最初測試中，那些檢測不合格的單元將被遺棄。這些被切割下來的芯片單元將被采用某種方式進行封裝，這樣它就可以順利的插入某種接口規格的主板了。大多數intel和AMD的處理器都會被覆蓋一個散熱層。

在處理器成品完成之后，還要進行全方位的芯片功能檢測。這一部會產生不同等級的產品，一些芯片的運行頻率相對較高，于是打上高頻率產品的名稱和編號，而那些運行頻率相對較低的芯片則加以改造，打上其它的低頻率型號。這就是不同市場定位的處理器。而還有一些處理器可能在芯片功能上有一些不足之處。比如它在緩存功能上有缺陷（這種缺陷足以導致絕大多數的CPU癱瘓），那么它們就會被屏蔽掉一些緩存容量，降低了性能，當然也就降低了產品的售價，這就是Celeron和Sempron的由來。

當CPU被放進包裝盒之前，一般還要進行最后一次測試，以確保之前的工作準確無誤。根據前面確定的最高運行頻率不同，它們被放進不同的包裝，銷往世界各地。

讀完這些，相信你已經對CPU的制造流程有了一些比較深入的認識。CPU的制造，可以說是集多方面尖端科學技術之大成，CPU本身也就那么點大，如果把里面的材料分開拿出來賣，恐怕賣不了幾個錢。然而CPU的制造成本是非常驚人的，從這里或許我們可以理解，為什么這東西賣這么貴了。

在測試這個環節很重要，比如你的處理器是6300還是6400就會在這個環節被劃分，而 6300天生并不是6300，而是在測試之后，發現處理器不能穩定的在6400標準下工作，只能在6300標準下穩定工作，于是對處理器定義，鎖頻，定義 ID，封裝，印上6300。

我們用AMD的來舉例：同樣核心的處理器都是一個生產線下來的，如果穩定工作在2.8GHz，1M*2的緩存下，就被定義為5600+，如果緩存有瑕疵，切割有問題的那一半，成為5400+，如果緩存沒問題而頻率只能在2.6G通過測試，那么就是5200+，如果緩存有瑕疵，就切割成為5000+…………一直把它測到3800+，如果還不穩定，要么想辦法變成速龍64單核或者單核閃龍，或者就是出現過的ES版的雙核閃龍，如果出現批量不能工作在3800+條件下，而工作在3600+條件下，那么3600+就上市了，如果出現批量能工作在3G，1M*2條件下，那么6000+就上市了，這就是為什么處理器總是中等型號的先上市，高端和底端的后上市，當然后期工廠可能會節約成本專門開出底端的流水線，專門生產低端處理器，賽揚，閃龍的各種型號就相繼上市，而高端的流水線因為個別處理器不穩定轉變為底端處理器，例如將速龍64緩存切割就變為閃龍64。

intel Core i7生產全過程圖解

沙子：硅是地殼內第二豐富的元素，而脫氧后的沙子(尤其是石英)最多包含25％的硅元素，以二氧化硅(SiO2)的形式存在，這也是半導體制造產業的基礎。

硅熔煉：12英寸/300毫米晶圓級，下同。通過多步凈化得到可用于半導體制造質量的硅，學名電子級硅(EGS)，平均每一百萬個硅原子中最多只有一個雜質原子。此圖展示了是如何通過硅凈化熔煉得到大晶體的，最后得到的就是硅錠(Ingot)。

單晶硅錠：整體基本呈圓柱形，重約100千克，硅純度 99.9999％。

硅錠切割：橫向切割成圓形的單個硅片，也就是我們常說的晶圓 (Wafer)。順便說，這下知道為什么晶圓都是圓形的了吧？

晶圓：切割出的晶圓經過拋光后變得幾乎完美無瑕，表面甚至可以當鏡子。事實上，Intel自己并不生產這種晶圓，而是從第三方半導體企業那里直接購買成品，然后利用自己的生產線進一步加工，比如現在主流的45nm HKMG(高K金屬柵極)。值得一提的是，Intel公司創立之初使用的晶圓尺寸只有2英寸/50毫米。