近日，韓國權(quán)威媒體ETNews爆出猛料，SK海力士正在積極籌備加速下一代NAND閃存的研發(fā)進(jìn)程，并且已經(jīng)設(shè)定了明確的發(fā)展時間表——計劃在2025年底之前，全面完成高達(dá)400多層堆疊NAND的半成品制備工作，緊隨其后，將于2026年第二季度正式啟動并大規(guī)模投入生產(chǎn)。

值得一提的是，早在2023年，SK海力士就已經(jīng)向外界展示過其321層堆疊NAND閃存的樣品，并公開表示，這款產(chǎn)品有望在2025年上半年實現(xiàn)量產(chǎn)。

據(jù)該媒體透露，SK海力士在未來兩代NAND閃存的研發(fā)周期內(nèi)，將把時間壓縮至大約1年左右，這一速度相對于行業(yè)平均水平來說，無疑是驚人且顯著的。

需要注意的是，從各大廠商發(fā)布新一代NAND閃存的時間跨度來看，美光從232層NAND閃存升級到276層，耗費(fèi)了整整兩年的時間；而三星V8 NAND和V9 NAND之間的更新間隔則大約為1.5年。

在報道中，韓媒還特別強(qiáng)調(diào)了SK海力士即將推出的400+層堆疊NAND閃存所采用的獨(dú)特架構(gòu)：

SK海力士現(xiàn)有的4D NAND采用了PUC（Peri Under Cell，單元下外圍）技術(shù)，即將外圍控制電路置于存儲單元之下，這種設(shè)計相較于傳統(tǒng)的外圍電路側(cè)置設(shè)計，能夠有效地縮小芯片占用空間。

然而，SK海力士未來的NAND閃存將會在兩片晶圓上分別制作外圍電路和存儲單元，然后再通過W2W（晶圓對晶圓）形式的混合鍵合技術(shù)，將這兩個部分完美融合成一個完整的閃存。

換言之，SK海力士也將借鑒長江存儲Xtacking、鎧俠-西部數(shù)據(jù)CBA等先進(jìn)的結(jié)構(gòu)設(shè)計理念。

據(jù)悉，SK海力士已經(jīng)開始著手建立NAND混合鍵合所需的原材料及設(shè)備供應(yīng)鏈，同時也在對混合鍵合技術(shù)及其相關(guān)材料進(jìn)行深入研究和重新評估；此外，三星電子也在考慮在下一代NAND生產(chǎn)過程中引入混合鍵合技術(shù)。