電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃山明)作為第三代半導(dǎo)體,SiC(碳化硅)相比傳統(tǒng)硅在高耐壓厚度、功率損耗、系統(tǒng)效率等方面具有顯著優(yōu)勢(shì)。依靠這些優(yōu)勢(shì),SiC在新能源汽車、工業(yè)、風(fēng)光儲(chǔ)能等領(lǐng)域大放異彩。但在過(guò)去,SiC的晶體生長(zhǎng)速度慢、良率低,導(dǎo)致生產(chǎn)成本較高,一直限制了SiC的普及。
不過(guò)在近期據(jù)媒體報(bào)道,有業(yè)內(nèi)人士預(yù)計(jì),未來(lái)兩年SiC芯片價(jià)格將下降達(dá)30%,原因在于越來(lái)越多的本地廠商開(kāi)始獲得電動(dòng)汽車認(rèn)證并擴(kuò)大了其制造能力。SiC芯片將一改過(guò)去嚴(yán)重依賴進(jìn)口的局面,消息人士稱,到2025年,中國(guó)制造的SiC外延片將足以滿足國(guó)內(nèi)需求。
SiC價(jià)格有望下降30%
SiC作為材料發(fā)展已經(jīng)有百年歷史,自1824年瑞典科學(xué)家在實(shí)驗(yàn)室中意外發(fā)現(xiàn)這一物質(zhì)以來(lái),到了1987年,科銳(Wolfspeed)制造了世界第一塊商用SiC襯底,宣布SiC正式商業(yè)化,并將其應(yīng)用在LED領(lǐng)域。
作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,SiC具備高效率、高溫穩(wěn)定性、高電壓和電流能力與高熱導(dǎo)率等優(yōu)異特性。相比普通的硅,SiC的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度是其近10倍,熱導(dǎo)率是硅材料的3倍,電子遷移率也要更高,同時(shí)能夠在更高的溫度下工作,這讓SiC更適合在新能源汽車等領(lǐng)域。
而真正讓SiC真正走進(jìn)普羅大眾是在2018年,特斯拉宣布將逆變器中使用的Si-IGBT替換為SiC-MOS,一方面由于SiC本身具有極低的導(dǎo)通電阻,在同規(guī)格下,SiC-MOS相較Si-IGBT總能量損失能降低80%左右,并且器件尺寸更小。
由于特斯拉在當(dāng)時(shí)新能源汽車中的地位,也帶動(dòng)了后續(xù)比亞迪、吉利、小鵬、理想等廠商效仿,SiC自此開(kāi)始快速普及。
但中國(guó)制造商在SiC的開(kāi)發(fā)方面起步較晚,在SiC批量生產(chǎn)商還處于早期階段,加上SiC晶體生長(zhǎng)的過(guò)程復(fù)雜且成本高,包括長(zhǎng)晶過(guò)程中的能耗、時(shí)間和技術(shù)要求都很高,制造過(guò)程中可能出現(xiàn)缺陷,導(dǎo)致成品率較低,讓SiC市場(chǎng)過(guò)去呈現(xiàn)出價(jià)格高昂,供給短缺的情況。比如成本上,SiC為Si器件的3倍左右,并且從原材料到晶圓的轉(zhuǎn)化率僅為50%。
較高的技術(shù)壁壘讓SiC市場(chǎng)本身呈現(xiàn)高集中度,前五大SiC廠商占有大約70%的市場(chǎng)份額,包括ST、英飛凌、科銳、羅姆、安森美等。
國(guó)內(nèi)相關(guān)企業(yè)奮起直追,如天岳先進(jìn)、芯聯(lián)集成、士蘭微、瀚天天成、山東天承、三安光電、華潤(rùn)微、新潔能、斯達(dá)半導(dǎo)等企業(yè)通過(guò)引進(jìn)國(guó)外先進(jìn)技術(shù)或自主創(chuàng)新,不斷提升產(chǎn)品質(zhì)量和生產(chǎn)效率,逐漸在國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)中占據(jù)一席之地。
有消息人士透露,中國(guó)SiC發(fā)展勢(shì)頭迅猛,到2025年,中國(guó)制造的SiC外延片將足以滿足國(guó)內(nèi)需求。在2024年上半年,采用SiC器件的電動(dòng)汽車成本也下降了15%-20%,SiC單價(jià)已經(jīng)降至與IGBT相當(dāng)?shù)乃健?br />
消息人士還表示,由于SiC價(jià)格下降將加速其普及,到2025年,當(dāng)8英寸晶圓產(chǎn)能增加時(shí),價(jià)格可能下降高達(dá)30%。
國(guó)產(chǎn)入局SiC,市場(chǎng)加速滲透
在新能源汽車與光伏產(chǎn)業(yè)的帶動(dòng)下,SiC正迎來(lái)快速發(fā)展階段。據(jù)調(diào)研機(jī)構(gòu)Yole數(shù)據(jù),2022年SiC器件市場(chǎng)規(guī)模為19.7億美元,其中功率器件市場(chǎng)達(dá)到18億美元,2028年有望達(dá)到89億美元,CAGR高達(dá)31%。
巨大的市場(chǎng)自然吸引眾多企業(yè)入局,但SiC本身從生產(chǎn)到應(yīng)用的全流程時(shí)間較長(zhǎng)。以SiC的功率器件為例,從單晶生長(zhǎng)到形成襯底要耗時(shí)1個(gè)月,再?gòu)耐庋由L(zhǎng)到晶圓前后段加工完成需要耗時(shí)6-12個(gè)月,最后再上車驗(yàn)證1-2年左右,因此對(duì)于SiC功率器件IDM廠商而言,想要從生產(chǎn)到轉(zhuǎn)化為收入的周期非常漫長(zhǎng),如果是汽車行業(yè)一般需要4-5年左右。
不過(guò)汽車產(chǎn)業(yè)從特斯拉2018年使用SiC-MOS后,開(kāi)始讓眾多企業(yè)開(kāi)始嘗試入局SiC產(chǎn)業(yè),國(guó)內(nèi)不少企業(yè)更是在這一階段后不久開(kāi)始布局SiC市場(chǎng)。
企業(yè)在SiC產(chǎn)業(yè)上所涉及的環(huán)節(jié)包括襯底、外延、設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)、器件、模組等環(huán)節(jié),其中能夠?qū)嵤┝慨a(chǎn)的SiC襯底產(chǎn)品主要為6英寸和8英寸,更達(dá)尺寸的產(chǎn)品也具備更高的競(jìng)爭(zhēng)力。
如作為SiC襯底供應(yīng)商的天岳先進(jìn),其近期公布財(cái)報(bào)預(yù)測(cè),預(yù)計(jì)2024年半年度實(shí)現(xiàn)營(yíng)收8.8億-9.8億元,同比漲幅達(dá)100.91%-123.74%,并扭虧為盈,實(shí)現(xiàn)1億元左右的凈利潤(rùn)。
而外延片上,如天域半導(dǎo)體計(jì)劃建設(shè)6英寸/8英寸SiC外延晶片生產(chǎn)線,預(yù)計(jì)2025年竣工并投產(chǎn),實(shí)現(xiàn)營(yíng)收8.7億元,到2028年全面達(dá)產(chǎn)產(chǎn)能100萬(wàn)片/年。此外,如瀚天天成、普興電子、中電化合物、南砂晶圓等多家企業(yè)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了6英寸SiC外延材料的投產(chǎn)。
此外,斯達(dá)半導(dǎo)作為國(guó)產(chǎn)IGBT模塊龍頭,也向著SiC積極布局,正計(jì)劃形成年產(chǎn)6萬(wàn)片6英寸SiC芯片生產(chǎn)能力。新潔能也在持續(xù)推出SiC與GaN相關(guān)產(chǎn)品,并已開(kāi)發(fā)完成1200V 23mohm-62mohm SiC MOSFET系列產(chǎn)品,新開(kāi)發(fā)650V SiC MOSFET工藝平臺(tái),用于新能源汽車OBC、光伏儲(chǔ)能、工業(yè)及自動(dòng)化等行業(yè),相關(guān)產(chǎn)品通過(guò)客戶驗(yàn)證,并實(shí)現(xiàn)小規(guī)模銷售。
士蘭微在今年公布的財(cái)報(bào)顯示,其子公司士蘭明鎵的6英寸SiC功率器件芯片生產(chǎn)線正處于爬坡階段,隨著產(chǎn)出持續(xù)增加,預(yù)計(jì)其下半年虧損將逐步減少。
晶升股份更是國(guó)內(nèi)SiC長(zhǎng)晶爐龍頭,其產(chǎn)品更是已經(jīng)進(jìn)入到了三安光電、比亞迪半導(dǎo)體、天岳先進(jìn)、東尼電子等客戶產(chǎn)業(yè)線中。
從2024年初以來(lái),隨著小米汽車、華為智選S7、問(wèn)界M9等多款800V碳化硅車型密集發(fā)布,預(yù)計(jì)下半年將有更多車型推出,2024年SiC在新能源車中的滲透率將呈翻倍增長(zhǎng)。據(jù)機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè),2026年國(guó)內(nèi)SiC襯底有望達(dá)到500萬(wàn)片,是2022年國(guó)內(nèi)SiC襯底產(chǎn)能的10倍。
由于SiC本身漫長(zhǎng)的周期,目前大多數(shù)國(guó)內(nèi)相關(guān)企業(yè)仍然在進(jìn)行上車驗(yàn)證環(huán)節(jié),預(yù)計(jì)要到2025年能夠?qū)崿F(xiàn)規(guī)模上車,屆時(shí)將能夠看到國(guó)產(chǎn)SiC應(yīng)用在國(guó)內(nèi)的新能源汽車當(dāng)中。
總結(jié)
長(zhǎng)期以來(lái),SiC主要由國(guó)外企業(yè)所主導(dǎo),國(guó)內(nèi)相關(guān)產(chǎn)品主要依賴于進(jìn)口,并且由于SiC本身生產(chǎn)工藝復(fù)雜,壁壘較高,導(dǎo)致相關(guān)產(chǎn)品成本居高不下。此外,再加上SiC本身產(chǎn)線的周期時(shí)間較長(zhǎng),國(guó)內(nèi)相關(guān)企業(yè)起步較晚,因此近幾年看到國(guó)內(nèi)SiC器件緊缺的情況。不過(guò)隨著國(guó)內(nèi)企業(yè)的加速投產(chǎn),以及技術(shù)的演進(jìn),有望在2025年看到國(guó)產(chǎn)SiC規(guī)模化量產(chǎn),從而一舉將市場(chǎng)中的SiC價(jià)格“打”下來(lái)。
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SiC
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