電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃山明）在儲(chǔ)能技術(shù)高速發(fā)展的今天，更強(qiáng)的發(fā)電與蓄電能力，更高的能源管理效率，更穩(wěn)定的輸送能力都是相關(guān)企業(yè)追求的方向，這就需要功能更強(qiáng)的IGBT來滿足當(dāng)前儲(chǔ)能技術(shù)的高需求，而第七代IGBT的出現(xiàn)，正好契合當(dāng)前儲(chǔ)能的發(fā)展需要。

第7代IGBT正加速發(fā)展

IGBT的發(fā)展可以追溯至20世紀(jì)80年代，最初的IGBT采用了平面穿通（PT），這種IGBT通過重?fù)诫s的P+襯底開始，但是存在負(fù)溫度系數(shù)、通態(tài)壓降一致性差等問題，不利于并聯(lián)使用。盡管如此，它開啟了IGBT在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用。

隨著時(shí)間的推移，IGBT經(jīng)歷了多次迭代，從非穿通（ NPT）結(jié)構(gòu)到場(chǎng)截止（ FS）結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)變，柵極結(jié)構(gòu)也從平面型轉(zhuǎn)向溝槽型（Trench）。這些改進(jìn)逐步提升了IGBT的性能，包括降低導(dǎo)通壓降、縮短開關(guān)時(shí)間、提高斷態(tài)電壓等，這也是IGBT從第二代到第五代的變化。

到了第六代，IGBT進(jìn)一步優(yōu)化了溝槽結(jié)構(gòu)和場(chǎng)截止技術(shù)，顯著提高了電流密度和能效，降低了開關(guān)損耗，同時(shí)在高溫工作表現(xiàn)上有了顯著提升。

而在2018年前后，市場(chǎng)中開始推出的第七代IGBT，引入了微溝槽柵+場(chǎng)截止（Micro Pattern Trench）技術(shù)，這是IGBT技術(shù)的一次重大飛躍。第七代IGBT的特點(diǎn)包括更高的溝道密度、優(yōu)化的元胞設(shè)計(jì)、更低的寄生電容，以及在極端開關(guān)速度（如5kV/μs）下仍能保持最佳性能。這使得IGBT7在降低靜態(tài)損耗、提高開關(guān)速度、增強(qiáng)高溫工作能力等方面達(dá)到新的高度，特別適合于高性能的電動(dòng)汽車、可再生能源系統(tǒng)和高壓直流輸電等應(yīng)用。

其中微溝槽技術(shù)能夠改善載流子傳輸特性，從而在不犧牲開關(guān)速度的情況下降低靜態(tài)損耗。這意味著在相同工作條件下，第七代IGBT能更高效地轉(zhuǎn)換電能，減少發(fā)熱。并且相比第六代IGBT，第七代的靜態(tài)損耗降低了約30%，這對(duì)于提升系統(tǒng)能效和減少冷卻需求至關(guān)重要。

此外，有數(shù)據(jù)顯示，在相同封裝體積下，第七代IGBT的電流輸出能力增加了50%以上，這得益于更高的電流密度，使得設(shè)備小型化成為可能，或者在不改變體積的前提下提高系統(tǒng)的功率輸出。

并且，第七代IGBT也滿足了電子行業(yè)對(duì)更高效率、更小尺寸、更高功率密度和更低損耗的需求。第七代IGBT技術(shù)通過實(shí)現(xiàn)面積減小20%、芯片厚度從120微米減少到80微米、導(dǎo)通壓降從1.7V降到1.4V，大幅提升了IGBT的性價(jià)比。

舉個(gè)例子，在儲(chǔ)能系統(tǒng)中使用第七代IGBT，可以設(shè)計(jì)出發(fā)電和蓄電能力更強(qiáng)的系統(tǒng)，提高能源管理效率，增強(qiáng)儲(chǔ)存能力，從而更平穩(wěn)地將太陽(yáng)能電力并網(wǎng)到電網(wǎng)中。此外，通過第七代IGBT設(shè)計(jì)的模塊還支持將多余的電力儲(chǔ)存在儲(chǔ)能系統(tǒng)中，有效緩解太陽(yáng)能發(fā)電的間歇性問題，確保供電的可靠性和穩(wěn)定性。

七代IGBT賦能儲(chǔ)能產(chǎn)業(yè)

由于七代IGBT的優(yōu)秀表現(xiàn)，已經(jīng)有越來越多的企業(yè)將這款產(chǎn)品用在儲(chǔ)能領(lǐng)域。比如近期上能電氣采用了英飛凌IGBT7 EconoDUAL?3實(shí)現(xiàn)單機(jī)2MW儲(chǔ)能變流器PCS，這是使用了英飛凌最新的EconoDUAL 3封裝的750A 1200V模塊，型號(hào)為FF750R12ME7_B11。

而EH-2000-HA-UD采用的FF750R12ME7，這是一款1200V/750A的IGBT模塊，芯片采用的是英飛凌最新一代IGBT7技術(shù)。與英飛凌上一代IGBT4技術(shù)不同，IGBT7采用更加精細(xì)化的MPT微溝槽柵技術(shù)，溝道密度更高，芯片厚度更薄，元胞結(jié)構(gòu)及間距也經(jīng)過精心設(shè)計(jì)，并且優(yōu)化了寄生電容參數(shù)，從而實(shí)現(xiàn)了最佳開關(guān)性能。

此外，在近期，安森美也發(fā)布了第七代1200V QDual3 IGBT功率模塊。與其他同類產(chǎn)品相比，該模塊的功率密度更高，且提供高10%的輸出功率。

據(jù)安森美介紹，該800A QDual3模塊基于新的場(chǎng)截止第七代（FS7）IGBT技術(shù)，應(yīng)用于150KW的逆變器中時(shí)，QDual3模塊的損耗比同類最接近的競(jìng)品少200W，從而縮減散熱器尺寸，適合用于太陽(yáng)能發(fā)電站中央逆變器、儲(chǔ)能系統(tǒng)、商用農(nóng)業(yè)車輛和工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等大功率變流器。

國(guó)內(nèi)也有許多企業(yè)相繼推出了七代IGBT，如斯達(dá)半導(dǎo)體，在2022年便推出了基于第七代微溝槽技術(shù)的新一代車規(guī)級(jí)IGBT芯片，產(chǎn)品型號(hào)包括650V/750V/1200V IGBT芯片，采用第七代微溝槽Trench Field Stop技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)面積減小20%、芯片厚度從120微米減少到80微米、導(dǎo)通壓降從1.7V降到1.4V。

此外如貝茵凱也在2023年末研發(fā)出了全系列第七代IGBT芯片，并成功實(shí)現(xiàn)大批量生產(chǎn)，成功突破國(guó)產(chǎn)化領(lǐng)域的技術(shù)壁壘。這款第七代IGBT產(chǎn)品在性能方面顯著優(yōu)于同類中采用傳統(tǒng)制程的IGBT芯片，有效解決了導(dǎo)通損耗與開關(guān)損耗難以平衡的問題，具備低導(dǎo)通損耗與低開關(guān)損耗的雙重優(yōu)勢(shì)，適用頻率范圍也得以拓寬，最高適用頻率從15kHz-20kHz提升至30kHz-40kHz。

目前該產(chǎn)品已經(jīng)通過多家行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)的嚴(yán)格測(cè)試與認(rèn)證，并已在電動(dòng)汽車、風(fēng)力發(fā)電、光伏逆變器及高端化學(xué)儲(chǔ)能等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)小規(guī)模供應(yīng)。

韋爾股份近期也新獲得了一項(xiàng)實(shí)用新型專利授權(quán)，專利名為“一種新型溝槽IGBT結(jié)構(gòu)”，該專利提供了一種新型溝槽IGBT結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)通過減少柵極接觸孔的方式，將對(duì)應(yīng)的柵極溝槽中的多晶硅轉(zhuǎn)變成第一發(fā)射極溝槽的多晶硅，從而減小柵極電容，使器件開通速度變快，降低開通損耗。而新型溝槽正是七代IGBT的顯著特點(diǎn)。

此外如新潔能、振華科技、安建科技等都已經(jīng)在第七代IGBT中有所建樹，為中國(guó)乃至全球的新能源汽車、光伏儲(chǔ)能、工業(yè)控制等領(lǐng)域提供了先進(jìn)的功率半導(dǎo)體解決方案。

小結(jié)

在國(guó)際上，安森美等歐美日企業(yè)憑借其深厚的技術(shù)積累和資金實(shí)力，在第七代IGBT技術(shù)開發(fā)及商業(yè)化方面走在前列。而中國(guó)IGBT企業(yè)如斯達(dá)半導(dǎo)、新潔能等也在加速追趕，成功研發(fā)并推出了第七代IGBT產(chǎn)品，標(biāo)志著國(guó)內(nèi)企業(yè)在IGBT核心技術(shù)上的重大突破。尤其儲(chǔ)能產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，也為七代IGBT提供了巨大的應(yīng)用市場(chǎng)，反過來七代IGBT也加速了儲(chǔ)能市場(chǎng)的發(fā)展。