軟錯誤是指由輻射對硅集成電路（Si ICs）的影響導致的設備的暫時性故障。軟錯誤會影響設備的性能和可靠性，尤其是在空間、防御、醫療和電力系統等高輻射環境中。

隨著電子設備的不斷微型化和高密度化，軟錯誤的敏感性也隨之增加，因為現在低能量的α粒子也能翻轉一個存儲器位或改變邏輯電路的時序。其中，一種主要的α粒子輻射源是用于封裝中連接元件的錫膏，它們含有α放射性元素。
由于使用了倒裝焊接（flip-chip）和發展向3D封裝，錫膏凸點（solder bumps）已經移動得非常接近活動的硅器件，即使是低能量的α射線也能引起軟錯誤。因此，需要開發低α活性無鉛錫膏（Low Alpha activity Pb-free solders），以減少軟錯誤的發生。

焊料的α粒子來源
含鉛焊料被認為是α粒子的主要來源，這一點由北卡羅萊納州微電子中心（MCNC）進行的一項研究證實，該研究監測了晶圓凸點過程中的每一步的α輻射。鉛的放射性可以追溯到 238U。從 238U 開始，它衰變為 210Pb，在 22 年內進一步衰變為 Bi，然后衰變為 Po，再在 138 天內衰變為 206Pb。除了α粒子外，衰變過程還涉及β粒子（電子）排放。β粒子對軟誤差沒有影響。天然鉛源中的鈾含量相差三個數量級之多。在熔煉和化學提純過程中，雖然可能會去除其他元素，但由于兩種鉛同位素的化學性質相同，放射性 210Pb 會與非放射性 206Pb 集中在一起。在熔煉和提純后的 8 至 9 個月內，鉛的α活度可高達 100 α/（cm2 "h）。

α粒子的產生過程：

芯片制造商通常把α粒子的來源分為內在源和外在源。
a)內在源是指存在于加工過的硅本身的源，但通常不太重要。它們是由加工相關因素造成的，如磷酸蝕刻留下的殘留物。磷酸通常用于晶圓制造過程中硅氮化物絕緣薄膜的圖案化；它的純度通常相對較低，含有低水平的放射性同位素。其他內在源包括薄膜氧化物和氮化物中的痕量雜質、植入操作過程中添加到硅中的無關雜質以及硅晶片本身的雜質。

b) 外在源：外在源通常與硅芯片不同，但在集成電路封裝內。大多數α粒子源都屬于這一類。表 1 列出了微電子封裝中最常見的α粒子源。表 2列出了其中一些α粒子發射源的單個貢獻估計值。目前認為，幾乎所有用于集成電路封裝的材料都會導致軟誤差失效。由于尺寸縮小，距離拉近，器件對 SER 的敏感度不斷提高，因此有必要對進廠材料和制造工藝制定例行監控程序。

表 1. 微電子封裝中最常見的α粒子源

表2. 微電子封裝中使用的一些常見材料的α輻射活度

低α粒子錫膏的開發和應用
為了降低錫膏中的α粒子活度，有兩種主要的方法：一是使用無鉛焊料，二是使用低α活性鉛焊料。無鉛焊料是指不含鉛或含鉛量極低的焊料，它們通常由錫、銀、銅等元素組成。無鉛焊料的優點是可以避免鉛對環境和人體的危害，同時也可以消除錫膏中的α粒子來源。

低α活性鉛焊料是指經過特殊處理，去除了放射性 210Pb 的鉛焊料。這種處理方法通常包括兩個步驟：一是使用高純度的原材料，二是使用真空或惰性氣體環境進行熔煉和提純。這樣可以有效地降低錫膏中的α粒子活度，達到 0.01 α/（cm2 "h）以下。低α活性鉛焊料的優點是可以保持鉛焊料的優良性能，如低熔點、低氧化性、低蠕變性、低金屬間化合物形成率等，同時也可以減少軟錯誤的發生。

目前，低α活性無鉛錫膏已經在一些高端微電子封裝領域得到了應用，如空間、防御、醫療和電力系統等。這些領域對設備的可靠性要求非常高，不能容忍任何軟錯誤的發生。因此，使用低α活性無鉛錫膏可以有效地提高設備的抗輻射能力和安全性。

福英達低α粒子焊料
低α焊料系列，是福英達公司為SiP系統級封裝、Flip Chip芯片倒裝等高密度、微型化封裝開發的具有低α粒子計數的高鉛焊料。應用于移動通信（智能手機、平板電腦、穿戴設備）、 物聯網（Wi-Fi, BLTE,UWB,LTE-M & NB-IoT、消費、工業）、 汽車（信息娛樂系統）、 高性能運算（運算、網絡、 人工智能）等領域。

福英達低α產品包含low alpha (<0.01 cph/cm2) 和ultra low alpha (<0.002cph/cm2) 兩種放射級別，無鉛、高鉛合金，粒徑型號覆蓋T3、T4、T5、T6。該低α焊料系列具有錫粉球形度好、粒度分布窄、氧含量低、化學純度高等優點，滿足α粒子放射規格要求，并可提供客制化開發服務。歡迎來電咨詢。

審核編輯 黃宇