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采用第二代1200V CoolSiC MOSFET的
REF-DR3KIMBGSIC2MA是為集成伺服電機(jī)的驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用而開發(fā)的升級(jí)版逆變器和柵極驅(qū)動(dòng)器板。設(shè)計(jì)用于評(píng)估采用TO-263-7封裝的第二代1200VCoolSiC MOSFET。
采用IMBG120R040M2H作為三相逆變器板的功率開關(guān)。驅(qū)動(dòng)電路采用了具有米勒鉗位功能的EiceDRIVER緊湊型單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器1ED3122MC12H。
■ 產(chǎn)品型號(hào):
REF-DR3KIMBGSIC2MA
■所用器件:
SiC MOSFET:
IMBG120R040M2H 40mΩ 1200V
柵極驅(qū)動(dòng)器:
1ED3122MC12H 10A,5.7kV(rms)
產(chǎn)品特點(diǎn)
用于集成驅(qū)動(dòng)的三相伺服電機(jī)
輸入電壓350VDC~800VDC
輸出電壓220VAC~480VAC
輸出功率4.2kW
■CoolSiC MOSFET 1200V,40mΩ G2
■EiceDRIVER Compact,10A,5.7kV(rms)
PCB直徑110mm
絕緣金屬基板(IMS)PCB
競爭優(yōu)勢(shì)
REF-DR3KIMBGSIC2MA是專為伺服電機(jī)和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用而開發(fā)的升級(jí)版逆變板和柵極驅(qū)動(dòng)器板。客戶可將其作為構(gòu)建自己的伺服電機(jī)和驅(qū)動(dòng)器集成的參考。它采用了英飛凌最先進(jìn)的器件,如CoolSiC MOSFET 1200V G2和EiceDRIVER Compact單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器
應(yīng)用價(jià)值
最先進(jìn)的英飛凌技術(shù)
緊湊型設(shè)計(jì)
具有高導(dǎo)熱性能的印刷電路板
自然冷卻,無需冷卻風(fēng)扇
過流檢測電路
應(yīng)用領(lǐng)域
電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)器
伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制
框圖
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