電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）自2023年第三季度開始，存儲產(chǎn)業(yè)逐漸由之前的廠商虧損、大幅減產(chǎn)、需求不振等低迷行情，轉(zhuǎn)變?yōu)椴饺霃吞K的上行周期。在我們之前跟蹤的2023年第四季度以及2024年第一季度財報中已顯現(xiàn)出這種向好的趨勢。最近，國內(nèi)存儲廠商相繼發(fā)布2024年上半年財報，呈現(xiàn)普遍增長的良好情況，在新產(chǎn)品新市場拓展方面也有不少亮點。



兆易創(chuàng)新

2024年上半年，兆易創(chuàng)新實現(xiàn)營業(yè)收入36.09億元，同比增長21.69%，歸屬于上市公司股東的凈利潤5.17 億元，同比增長53.88%。經(jīng)歷2023年市場需求低迷和庫存逐步去化后，2024 年上半年消費、網(wǎng)通市場出現(xiàn)需求回暖，帶動公司存儲芯片的產(chǎn)品銷量和營收增長。

在汽車市場，公司車規(guī)閃存產(chǎn)品出貨量保持良好增長。車規(guī)MCU產(chǎn)品與多家國內(nèi)、國際頭部Tier 1公司建立和保持深入合作關系，產(chǎn)品應用包括車燈方案、AVAS 方案、無線充電方案、汽車直流無刷電機控制系統(tǒng)、汽車儀表盤等。目前，公司車規(guī)產(chǎn)品方案已被批量應用于多家汽車廠商，整體銷售量實現(xiàn)同比大幅增長。在傳感器產(chǎn)品上，上半年實現(xiàn)了出貨量及營收的同比增長。

兆易創(chuàng)新的存儲器產(chǎn)品主要有NOR Flash、SLC Nand Flash和DRAM。 公司是全球排名第二的SPI NOR Flash公司，可提供多達13種容量選擇（覆蓋512Kb到2Gb）、4 種不同電壓范圍、20多種產(chǎn)品系列、6款溫度規(guī)格以及 20 多種不同的封裝選項，可滿足客戶在不同應用領域多種產(chǎn)品應用中對容量、電壓以及封裝形式的需求。

公司 NAND Flash 產(chǎn)品，容量覆蓋 1Gb~8Gb，采用 3V/1.8V 兩種電壓供電，具有高速、高可靠性、低功耗的特點，其中 SPI NAND Flash 在消費電子、工業(yè)、汽車電子等領域已經(jīng)實現(xiàn)了全品類的產(chǎn)品覆蓋。報告期內(nèi)，公司旗下 1.2V GD25UF 系列 SPI NOR Flash 以 1.2V 低電壓和超低功耗模式，顯著提升小容量電池設備續(xù)航能力，充分滿足新一代可穿戴設備在低電壓和超低功耗的需求，并在數(shù)據(jù)傳輸速度、供電電壓、讀寫功耗等關鍵性能指標方面達到國際領先水平。

公司車規(guī)級 GD25/55 SPI NOR Flash 和 GD5F SPI NAND Flash 產(chǎn)品，實現(xiàn) 2Mb-8Gb全容量覆蓋，并均已通過 AEC-Q100 認證，被車廠和 Tier 1 廣泛認證通過，并運用在如智能座艙、智能駕駛、智能網(wǎng)聯(lián)、新能源電動車大小三電系統(tǒng)等，為車載應用的國產(chǎn)化提供豐富多樣的選擇。

公司DRAM 產(chǎn)品包括DDR3L和DDR4兩個品類，DDR3L產(chǎn)品提供市場通用的 1Gb/2Gb/4Gb 容量；DDR4 8Gb 產(chǎn)品已流片成功，并已為客戶提供樣片，以 4Gb/8Gb容量為市場提供廣泛的應用選擇。公司 DRAM 產(chǎn)品可廣泛應用在網(wǎng)絡通信、電視、機頂盒、智慧家庭、工業(yè)、車載影音系統(tǒng)等領域。

報告期內(nèi)，兆易創(chuàng)新研發(fā)投入達到 6.37 億元，約占營業(yè)收入 17.65%。公司技術(shù)人員占比約73.38%，碩士及以上學歷占比約56.38%。

江波龍

2024年上半年，江波龍實現(xiàn)營業(yè)收入90.39 億元，同比增長143.82%；實現(xiàn)歸屬于上市公司股東的凈利潤5.94億元，同比增長199.64%；實現(xiàn)歸屬于上市公司股東的扣除非經(jīng)常性損益的凈利潤5.39億元，同比增長189.14%。

報告期內(nèi)，公司企業(yè)級存儲業(yè)務規(guī)模增長明顯，企業(yè)級存儲業(yè)務收入達到2.91億元，同比增長超 2000%。公司自研主控芯片業(yè)務保持上升趨勢，應用量已超過千萬顆。公司小容量存儲芯片業(yè)務差異化競爭優(yōu)勢進一步凸顯，已經(jīng)構(gòu)建以汽車電子用戶為主體、網(wǎng)通工業(yè)客戶為補充的客戶矩陣，累計出貨量已遠超5000萬顆。

2023 年下半年，公司分別實現(xiàn)了對巴西 Zilia 及元成蘇州的控股收購，目前上述兩項收購的整合工作已經(jīng)基本結(jié)束，生產(chǎn)經(jīng)營有序開展，2024 年上半年均為公司貢獻了正向利潤，為公司構(gòu)建有韌性的國際國內(nèi)雙循環(huán)供應鏈體系打下了堅實基礎。

企業(yè)級存儲

企業(yè)級存儲方面，江波龍已經(jīng)推出了多款高速 eSSD產(chǎn)品，覆蓋480GB至3.84TB 的主流容量范圍，支持 1DWPD（每 日整盤寫入次數(shù)）和3DWPD 的高耐用性選項，產(chǎn)品外形涵蓋 2.5 英寸到 M.2 的多種規(guī)格，構(gòu)成了全面的企業(yè)級產(chǎn)品組合。

自主研發(fā)的 PCIe SSD 具備多檔功耗調(diào)節(jié)、無感在線固件升級、多命名空間以及可變 Sector Size 等先進功能，通過支持 Telemetry、Sanitize 和全路徑端到端的數(shù)據(jù)保護特性，提升數(shù)據(jù)存儲的 安全性和可靠性。公司的 PCIe SSD 與SATA SSD 兩大產(chǎn)品系列已成功完成與鯤鵬、海光、龍芯、飛騰、 兆芯、申威多個國產(chǎn) CPU 平臺服務器的兼容性適配，為在主流平臺上的廣泛應用提供了堅實的技術(shù)基礎。

報告期內(nèi)，公司 eSSD 實現(xiàn)從1到N的突破，實現(xiàn)大批量出貨，并持續(xù)開拓多個大型云服務提供商客戶，為公司業(yè)績提升帶來積極作用。公司作為國內(nèi)少數(shù)具備“eSSD+RDIMM”的產(chǎn)品設計、組合以及持續(xù)供應能力的企業(yè)，能夠有效地滿足市場對于高性能、高可靠性存儲組合解決方案的迫切需求。

自研主控芯片

公司兩款自研主控芯片（WM6000、WM5000）已經(jīng)批量出貨，并已經(jīng)實現(xiàn)了超千萬顆的規(guī)?；a(chǎn)品導入，收到了良好的效果。

WM 6000 系列主控芯片為公司自研eMMC控制器芯片，采用28nm先進工藝，支持eMMC 5.1協(xié)議。該款主控芯片采用自研LDPC算法，支持SRAM 檢錯，顯著提高數(shù)據(jù)存儲可靠性。以128GB容量產(chǎn)品為例，其順序讀寫性能可以達到 345MB/s 和 310MB/s 以上，隨機讀寫速度達到 220MB/s 和 190MB/s 以上，相較市場同類產(chǎn)品均具有明顯優(yōu)勢。WM6000 動態(tài)功耗也呈現(xiàn)出較為優(yōu)秀的性能，做到能效均衡。搭載該系列自研主控芯片的eMMC產(chǎn)品主要應用于手機、平板、機頂盒和 PC 等應用領域。

WM5000 系列主控芯片為公司自研 SD 存儲卡控制器芯片，采用 28nm先進工藝，支持SD 6.1協(xié)議。該款芯片采用自研 LDPC算法，支持SRAM 檢錯，顯著提高數(shù)據(jù)存儲可靠性。以128GB容量產(chǎn)品為例， UHS-I 接口下其讀速度可達200MB/s 以上，寫速度可達150MB/s 以上。搭載該系列自研主控芯片的公司高性能SD 存儲卡產(chǎn)品主要應用于運動相機、全景相機、航拍、IP Camera、行車記錄儀、車載 DVR、狩獵相機、相機、手機、平板電腦等領域。

eMMC和UFS

公司UFS產(chǎn)品均采用自研固件，具備寫入增強、低功耗管理、智能控溫、主機性能提升器功能，產(chǎn)品廣泛應 用于智能手機、平板電腦、AR/VR 等領域。

基于目前消費級產(chǎn)品大容量、高性能、低功耗的趨勢，公司在 eMMC 領域繼續(xù)深耕先進技術(shù)，依靠 自研主控、自研固件、自研 LDPC 算法，率先實現(xiàn)了 QLC eMMC 的產(chǎn)品化，其容量達到 1TB 水平，為手機和平板市場提供了更豐富的存儲選擇。隨著端側(cè) AI 技術(shù)的加速落地，公司推出了LPCAMM 2等內(nèi)存新形態(tài)產(chǎn)品，該產(chǎn)品成功打通了 PC 和手機的應用場景，在性能、能效和空間利用上均實現(xiàn)了顯著提升，幫助客戶打造更輕薄、長續(xù)航、高性能的設備，為公司消費級存儲業(yè)務拓展提供強有力的產(chǎn)品支撐。

自研小容量存儲芯片


公司自研SLC NAND Flash存儲芯片采用工藝 4xnm、2xnm工藝，已有512Mb 至 8Gb的5 款產(chǎn)品實現(xiàn)量產(chǎn)，能夠為客戶提供多種電壓、多種封裝、多種接口的 SLC NAND Flash存儲解決方案。公司自研小容量存儲芯片產(chǎn)品在性能、質(zhì)量上具備競爭優(yōu)勢，在車規(guī)工規(guī)級應用領域當中，公司自研存儲芯片出貨量快速增長。

公司將以 SLC NAND Flash 作為起點，積累存儲芯片設計能力與芯片工藝實現(xiàn)經(jīng)驗，逐步解決 MLC NAND Flash在電壓閾值管理、寫入擦除算法及壽命方面的挑戰(zhàn)，漸進式的拓展 MLC NAND Flash 設計能力，首顆 32Gbit 2D MLC NAND Flash 已經(jīng)完成流片驗證，未來合適時將發(fā)布樣品。

車規(guī)級存儲

在報告期內(nèi)，江波龍在車規(guī)級存儲領域取得了重要進展，車規(guī)級 UFS2.1 產(chǎn)品已在多個汽車客戶端完成驗證并進入量產(chǎn)階段；第二代車規(guī)級 UFS3.1 產(chǎn)品亦已完成產(chǎn)品設計和驗證，并開始向長期合作的重要汽車客戶送樣驗證。

2024 年上半年公司研發(fā)費用達到4.75 億元，同比增長 92.51%。公司持續(xù)堅定投入研發(fā)，并實施員工股權(quán)激勵計劃，夯實公司的核心競爭力及健全公司長效激勵機制。

恒爍

2024年上半年，恒爍半導體實現(xiàn)營業(yè)收入 17,745.44 萬元，同比增加 17.10%；實現(xiàn)歸屬于上市公司股東的凈利潤-7,435.02 萬元；歸屬于上市公司股東的扣除非經(jīng)常性損益的凈利潤-8,447.15 萬元。2024 年上半年市場競爭激烈，公司為加大出貨量和占據(jù)市場份額，公司主要產(chǎn)品的銷售價格承壓，毛利率相較于去年同期下滑，仍處于較低水平，同時公司基于謹慎性原則，在充分考慮期末存貨的售價和適銷性的基礎上，計提存貨跌價準備，報告期內(nèi)計提存貨跌價準備 5,017.19 萬元，綜合因素導致業(yè)績虧損。

恒爍現(xiàn)有主營產(chǎn)品包括NOR Flash存儲芯片和基于ArmCortex-M0+內(nèi)核架構(gòu)的通用32位MCU芯片。AI業(yè)務以領先的TinyML 算法軟件開發(fā)能力和出色的硬件融合能力，AI軟件和AI模組硬件已經(jīng)在智能終端產(chǎn)品領域展開銷售，存算一體芯片也在同步進行開發(fā)和設計。

NOR Flash 存儲芯片領域，在 2024 年上半年5款新產(chǎn)品完成了流片工作，2 款產(chǎn)品已經(jīng)進入送樣階段，另有1款產(chǎn)品進入試產(chǎn)階段。

2024 上半年，公司的NOR Flash產(chǎn)品針對電子煙、智能手表、通訊和電力等終端市場加大推廣力度，實現(xiàn)了在電子煙，智能穿戴等消費類行業(yè)客戶的出貨量同比增長。同時公司加大力度開拓通訊和電力市場，在 Cat1 和 Cat4 模塊應用市場出貨量持續(xù)增加，并在行業(yè)建立一定知名度。 在傳統(tǒng)應用領域如機頂盒，電視等應用領域持續(xù)加強市場推廣，擴大了客戶基礎，在一些頭部客戶端進入導入流程。另外公司也積極布局和導入 PC 和顯示類客戶，目前產(chǎn)品在客戶端驗證階段， 預期將為公司帶來了新的業(yè)務增長。

存算一體 CiNOR 技術(shù)

公司研發(fā)的存算一體 AI 芯片基于 65nm NOR Flash 制程，利用 NOR Flash 的模擬特性，實現(xiàn)芯片內(nèi)完成了 AI 計算的核心任務——向量矩陣乘法 (VMM)，是邊緣計算方向和物聯(lián)網(wǎng)設備智能 互聯(lián)的一種新型解決方案。該芯片適合于終端器件及 IoT 領域，即在終端上進行 AI 的推理。公司 CiNOR 芯片是一顆工作在模擬域的存算一體芯片，將傳統(tǒng) NOR flash 的程序讀取過程與 計算進行融合，能夠極大降低 AI 計算的功耗。CiNOR “恒芯 2 號”擴增了 Flash 計算陣列的規(guī)模， 能夠容納更大的 AI 模型；目前該芯片已回片，正在進行相關測試工作。

基于 SRAM 的數(shù)字存算一體技術(shù)為了讓存算一體技術(shù)應用在科學計算等更廣大的領域，公司與中國科學技術(shù)大學正在共同研發(fā)基于 SRAM 的數(shù)字存算一體技術(shù)。不同于 CiNOR，該技術(shù)為無損計算，應用領域更廣泛。

2024 年上半年公司的研發(fā)投入為 4,029.84 萬元，占營業(yè)收入比例為 22.71%，公司持續(xù)投入研發(fā)有利于鞏固了現(xiàn)有市場地位，也為進入新的增長領域奠定堅實的基礎。

德明利

德明利作為專業(yè)的存儲控制芯片及解決方案提供商，持續(xù)聚焦存儲主業(yè)，加快完善產(chǎn)品、客戶渠道、研發(fā)等各方面布局，積極拓展原有業(yè)務，不斷打開成長空間。

報告期內(nèi)，公司產(chǎn)品矩陣不斷豐富，推出多款移動存儲、高端固態(tài)硬盤、 嵌入式存儲新品，新增LPDDR、內(nèi)存條產(chǎn)品線；新一代存儲卡主控芯片及固態(tài)硬盤主控芯片均已進入量產(chǎn)階段，模組導入工作進展順利。

報告期內(nèi)，公司實現(xiàn)營業(yè)收入 2,176,088,235.83 元，同比增長幅度為 268.50%，實現(xiàn)歸屬于上市公司股東的扣除非 經(jīng)常性損益的凈利潤 369,975,680.17 元，同比增長幅度為 536.69%。

公司閃存模組以自研主控芯片為核心，隨著研發(fā)實力不斷增強，公司芯片研發(fā)不斷提速，積極推動兩顆主控量產(chǎn)導入，以及三顆主控芯片的研發(fā)立項。報告期內(nèi)，公司新一代自研 SD6.0 存儲卡主控芯片產(chǎn)品適配工作進展順利，目前已有各類搭載該款主控的存儲卡模組送樣，待客戶驗證通過后即可實現(xiàn)批量導入；公司自研 SATA SSD 主控芯片也已具備產(chǎn)業(yè)化應用條件，正在加快產(chǎn)品適配與測試，目前整體工作進展順利。

新一代 SD6.0 存儲卡主控芯片主要基于 40nm 工藝， 提升讀寫性能，基于 multi-voltage 多電源域的低功耗設計方法，SATA SSD 主控芯片為國內(nèi)率先采用 RISC-V 指令集打造的無緩存高性能控制芯片，支持最新的 ONFI5.0 接口，二者均采用目前業(yè)界領先的 4KLDPC 糾錯技術(shù)，可以靈活適配 3D TLC/QLC 等不同類型的閃存顆粒。隨著研發(fā)團隊的建設與研發(fā)水平提升，公司于報告期內(nèi)新增立項 PCIe SSD、UFS、eMMC 三顆主控芯片研發(fā)項目，未來將持續(xù)推動研發(fā)工作，加快向功耗、速度、容量、糾錯等性能要求更高領域的研發(fā)創(chuàng)新。

報告期內(nèi)，公司新設立北京研發(fā)中心與杭州研發(fā)中心，公司研發(fā)人員迅速增長，報告期內(nèi)公司研發(fā)費用為 86,640,606.61 元，同比增加44,912,024.17 元，同比增幅達107.63%。

小結(jié)：

根據(jù)CFM 閃存市場數(shù)據(jù)，2024 年上半年NAND與DRAM整體市場規(guī)模為718 億美元，同比增長88.45%，較去年同期實現(xiàn)了明顯增長。2024 年全球NAND和DRAM總?cè)萘啃枨髮⒎謩e增長20%和15%。隨著智能手機、平板電腦、服務器、網(wǎng)通、汽車市場等需求的進一步改善，特別是AI基礎設施的加速建設，以存儲原廠HBM新品配合GPU加速迭代為推動力，形成自云到邊到端的AI與存儲的需求，將顯著促進存儲市場的增長。